关于仿真用model的问题

    我们用smic某cmos工艺做好了设计，但是临流片前告知pdk有更新。替换了新的pdk，用新版本的model对原设计进行仿真，发现性能下降很多。检查发现新版本的model跟老版本的model相比，5V pmos管的model有很大变化，其他管子model基本不变。我们比较疑惑难道model更新版本后，原设计就得进行大的修改吗？新版本Model相对旧版本model更改的依据是什么？是旧model本身不准，新model进行了改进吗？

什么工艺啊？
如果是成熟工艺，应该不至于model变化很大
如果是新工艺，还是有可能的，尤其是smic....

老工艺.35 cmos。 我们用的是0.5版本的model，文档上的发布时间是2010/12/30，结果0.6版本的model （2011/9/15）就对p50的model做了很大的改动，其他器件没有什么改动。我如果用0.6版本的仿真，性能会差很多，如果p50用0.5版本的，其他器件用0.6版本的，性能基本没什么变化。不知道p50为什么model变化这么多。

11年就发布了，那我觉得新的会比较准

呵呵，你被历史遗留问题坑了。曾经有个成芯，后来贱卖给了TI，有成芯的时候，.35都是在成都run的，后来匆匆忙忙转回上海的，当时不少客户被坑啊，不但涨价，参数也漂的一塌糊涂。只是你七年后还能再跳坑一次，也是神人了

建议你跟smic的人确认一下。Model的问题一般来说，最新的是更准的。

也就是说新版本model之所以变化是因为工艺线换地点了？那我们是不是只能根据新版本model重新设计了？

没错，刚好就是那个时间节点，我记得hrpoly方块值也变化比较大

你们pdk是自己员工下载的还是厂家CE提供的？
居然能发生这事儿？