武汉新芯的3dnand 是哪里的技术？

本版有人说啊。好像是s开头？

cypress的

世界范围内论本源的话3d nand就两种 三星的charge trapping 和 镁光的floating gate。从这个意义上xmc的技术跟三星是一样的 其次xmc招了不少西安三星的人应该是学来了不少技术的。
估计xmc的paper不好找 你还是看看讲vnand跟bics的paper吧。

XMC/Spansion’s Heterogeneous Charge Trap (HCT) is here: http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2013/20130813_Plenary_Tehrani.pdf

谢谢。直接照着三星的来应该有一堆专利问题吧。

我只能呵呵了 看来你不太了解idm的情况。首先 很多东西就算照抄也是要费很大劲的 因为机器不一样 制成的困难很多。其次这个行业本来就是抄来抄去的 三星跟东芝在2d时代就是这样 后来两边都有patent portfolio了 就相安无事 睁只眼闭只眼了 专利对于xmc这个规模的企业还不太用担心 再说了 xmc都是卖给国内企业 应该不用担心外国的专利的。

三星东芝这样体量的互相之间睁一只眼闭一只眼，但是对xmc这样的后来者就不客气了吧，xmc也没有足够的专利保护自己。大概只能靠zf保护了。

人和机器都是照抄的，你懂的

不是这个

呵呵 这M1 19nm cd的quadruple patterning 你如何抄啊

那是哪个？我还真没见过xmc 3d nand 的sem，其他家的我都熟。