武汉新芯NAND Flash厂28日动工，240亿美元到位

　中国发展内存产业再有新进展！中国武汉新芯将建新内存厂，市场传出新厂动土仪式就落在本月 28 日，然而，根据科技新报取得的消息，武汉新芯将建的为 NAND Flash 厂，而非 DRAM 厂，据悉，国家集成电路产业发展基金（大基金）与湖北省政府已到位，武汉新芯已磨刀霍霍进军 Flash 市场。
　　中国拟自建半导体供应链，在国安、军事考虑下，内存一直是中国亟欲自足发展的领域，并属意选定一个省市为重点发展区域，先前在六大地方政府竞逐下，最终由武汉新芯出线，获得大基金挹注，统筹整体内存产业发展。
　　据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位，市场传出武汉新芯将于 28 日举行 12寸DRAM 厂动工仪式，然根据科技新报取得的消息，武汉新芯将先行建造 Flash 厂，先行锁定 NOR 型 Flash，并逐步移转至 NAND Flash 产品，甚至 3D NAND Flash，最终目标产能 30 万片。
　　从 3D NAND Flash 弯道超车的野心
　　从武汉新芯近期的布局或可看出端倪，2015 年 5 月，武汉新芯才与 NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海 SEMICON China 与厦门 2015 集成电路产业促进大会的谈话，主轴同样绕在 Flash 产业的布局。
　　武汉新芯财务长陈少民在 15 日才开幕的上海 SEMICON China 内存产业发展论坛上即指出，「日本抓住了 DRAM 发展机遇，韩国抓住了 DRAM 和 NAND 发展机遇，两国都成为了内存行业的领头羊。如今 3D NAD 技术兴起，十三五规划又将半导体作为发展重点，我们正谓正好走到了一个发展的『风口』势必把握这一机会。」洪沨早前也称，3D NAND Flash 将成为中国内存芯片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的内存布局或将从 Flash 展开。
　　大厂纷纷押宝，价格战已可预见？
　　然而，不只武汉新芯，各大内存大厂也争相加大 3D NAND Flash 的投资，英特尔大连厂转生产 3DNAND Flash，于下半年产能开出，SK 海力士在三月初则传出投入 15.5 兆韩元扩充 NAND Flash 产能，并于 2019 投产， 17 日，东芝也宣布三年内要投资 3600 亿日圆建厂扩产，同样押宝 3D NAND Flash。
　  外资 RBC Capital Markets 分析师 Amit Daryanani 近期的报告即发出忧心，在业者纷纷转进 3D NAND Flash 下，平均销售价格（ASP）将被拉低，甚至可能出现价格暴跌的情形，使得部分厂商陷入困境。3D NAND Flash 未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。
    业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价竞争、供过于求的窘境。武汉新芯进军NAND产业，大举建厂，加上紫光和合肥市政府后续也都有意在大陆盖DRAM厂，反映大陆力攻存储器的旺盛企图心，是否会让存储产业重蹈LED、面板、触控的覆辙，使市场陷入红海，值得台厂密切注意。

在原厂址，高新四路那儿吗？