请教一个关于带隙基准温度系数的问题
请教大家一个关于带隙基准温度系数的一个问题，具体的情况如下：
问题：仿真出来的基准输出随温度变化曲线为一“开口向上的抛物线”；而对10只芯片的测试结果均为“开口向下的抛物线”。请教导致这个不匹配的原因可能会是什么？
下面是一些支撑材料：
工艺：TSMC 0.18 1P6M CMOS（20K顶层铝）；
结构：常见的一阶补偿电路，教科书中有。运放输入端接BJT，运放输出接PMOS电流镜，BJT面积比，1：32；
仿真平台：IC61，BSIM模型，TSMC 最新的模型；
测试平台：Agilent 8位半万用表，GPIB电脑控制，温度到了等待3分钟后自动测试；
求教可能造成仿真与测试不一致的原因。特别是连趋势都不一致了。。。
谢谢！
PV仿了么？
仿真的时候带mismatch了么？
很多因素可以导致，model 不准之类的也有可能，应力作用也是原因基本只能靠数据改
能测出抛物线不错了，还要啥自行车？
其实主要是BSIM模型不适用于BJT,然后BJT一直存在模型不准的问题。。可以改一下BJT面积比，然后仿一下。。
贵温度从哪里读的？跟芯片放得比较近还是直接从芯片上引出？
仿真了mismatch only，得出的曲线趋势一致，“上下部分平移”而已。
V在3.3V做了正负5%的便宜。
得出的趋势都和测试不一致。
而且，个人认为，从统计角度看，typical情况下的仿真代表了更多数的情况。
不知道还要做什么仿真？
只仿真了mismatch only,几十次仿真的结果趋势都差不多。。。
谢谢！
您说的这几个因素，如何判断哪个是主要因素呢？
比如针对一个新工艺，要得到好的TC性能，只能先流一次片，然后根据结果改？而不能一次性根据仿真得到比较好的结果吗?
自己做了一个芯片，用得是别人的基准，想看看这个基准的温度性能。
谢谢，能稍微详细点吗？
TSMC 0.18 CMOS的BJT面积只有2X2,5X5和10X10这三种呢。我现在用的是5X5，您的意思是改成10X10？
通过一温度传感器放置于芯片封装表面。设置风罩温度，风罩温度精度为正负一度，风罩温度稳定后几分钟再测试的，基本上可以排除温度的不准确性导致的问题。
电阻的工艺偏差？
10x10可能会好点，但是估计也有限。。
你是说Vout=Vbe+I*R中的R？
这个值不会改变抛物线的开口方向呀
但是10X10会对应着“他自己的”测试结果呀。。。
是不是curvature correction补偿过头了？或者有应力？
banba cell？
你这个仿的太少，模型是不是有高斯分布，怎么说也要仿个1000点才能看3sigma，测也要测那么多。
最好还有probe和package的数据。
问题来了，你什么应用需要这么好的bg
仿真能出现横着的S形吗？
我的意思是，你用的是banba结构吗？
网上可以搜索下banba结果
不能，就是一开口向上的“抛物线”