三星的finfet技术哪里来的？
良率极好，不仅力压台积电，连美国本土资助finfet技术研发的骨干半导体企业ibm、
格罗方德也必须与其合作，才能提高14纳米以下工艺良率。（顺及，intel先松口可能
采用fd-soi技术，但目前在10纳米工艺上已经不敢再提，其状甚为可疑，貌似finfet与
soi工艺整合不够成功，而担心坦诚不顺利将影响股价；与之相比，ibm10纳米路线已经
非常明确，见最后。）
考据了一下。finfet技术的研究由美国军方和美国半导体骨干企业联合资助，始于1998
年，目标是解决25纳米之后半导体器件的微细化问题，由加大伯克利分校胡正明院士领
导的研究小组承研并成功突破。finfet技术由intel公司在2012年22纳米节点率先采
用。
2001年-2004年期间，胡正明担任台积电CTO；
2009年，台积电研发负责人梁孟松去职，2011年就职于三星电子，2009年-2011年期间
在韩国一大学授课，其课程多有三星公司资深工艺人员听讲。
2012年，三星14纳米finfet测试芯片完成流片；
2014年4月，格罗方德获三星14纳米finfet技术授权；
2014年10月，IBM将22纳米FD_SOI芯片工艺厂及全套专利技术出售格罗方德，并由后者
代工其14纳米和10纳米芯片（按大蓝的规划，这两代用finfet+soi）；
2015年1月，台积电脱离IBM研发联盟；
2015年2月，三星14纳米finfet芯片量产；
2015年4月，格罗方德14纳米finfet芯片量产；
2015年7月，台积电16纳米finfet芯片量产。
2015年1月-2015年12月31日，梁孟松再次被禁止在三星就职。
2015年7月，IBM、三星、格罗方德、纽约州立大学联合突破了7纳米关键技术，整合了
全套7纳米制备工艺，研制出包含200亿晶体管的7纳米测试芯片（finfet+soi，硅锗沟
道，极紫外光刻）。
挖了台积电一个人，梁孟松。
那台积电的finfet技术又是哪里来的？
有点不对劲。梁孟松09年从台积电去职，两年竞业禁止协议期满后入职三星。而英特尔公
司2012年才世界上首次采用并量产finfet微处理器，台积电获得该项技术不可能在09年之
前。所以三星的finfet技术不大可能由梁孟松处获得。
finfet早就有了，台湾人胡正名发明的。intel第一个量产。
梁孟松也不是一个人去的三星，带了三四个，基本就把台积电的技术积累带走了。
发明finfet的胡正名 还做过台积电的cto。
原来这样。看来台积电有finfet不为怪了。不过三星的finfet获得，还是有点蹊跷的，应
当还有后续的狗血剧情。
其实ibm乃至格罗方德同样掌握finfet技术，而且是几乎从最开始就有，和英特尔几乎同
时。差距主要在于
这种技术早期得试老多年了，就算带不过去成熟技术，带过去一堆阴性结果也相当值钱。
哈哈 我说是谁呢 是我师祖chenming hu啊
嗯，这爷写的PPT课件特别好。
老胡是好多家公司的董事……羡慕
我操，你是伯克利的
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还有啥，八一八
人家说师祖，不是师父。
师祖的范围就很大了，可能是第三代，或者第四代，如果是第三代，范围
可以遍及全美，第四代可以遍及全球。
估计导师是老胡门下
那是我师祖 我老板是伯克利的 Jack Lee
有啥好八的 其实chenming hu还发明过很多稀奇古怪的东西呢 比如tunneling Fet
每次我老板去加州开会回来就给我找稀奇古怪的课题 比如10年的时候让我们搞III-V finfet Tunneling Fet等等
大牛内推一下 我也做存储的
Intel :finfet
gf/st联盟: fd-soi
28nm开始就有fd-soi
16nm开始有量产finfet
finfet不是伯克利的胡正明搞的，人现在是sandisk的董事
finfet不是伯克利的胡正明搞的，人现在是sandisk的董事
finfet+soi
没有SOI
.8
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GF现在的FINFET是从三星买的。以前可能研究过，但是大家都知道他自己的技术量产良率实在是太低了。
谢指正！