英特尔美光推出全新存储芯片 比SSD速度快千倍
新浪科技讯 北京时间7月29日早间消息，和已开始生产速度更快的新型存储芯片。两家公司表示，这将改变计算机获取海量数据的方式。
英特尔和美光周二在公告中表示，3D XPoint是25年来引入市场的首个全新主流存储芯片技术。两家公司将于今年晚些时候向潜在客户提供这款芯片的样片，并表示新产品比当前产品速度快1000倍。
新的存储芯片希望帮助计算机以更快的速度获取并处理由越来越多联网设备产生的大量数据。这也将有助于各种数据密集型任务，例如疾病的实时追踪，以及具备沉浸感的仿真游戏等。当前类型的存储芯片要么价格过于昂贵，要么没有足够的能力去处理这些任务。
美光总裁马克·亚当斯(Mark Adams)表示：“当代计算技术最重要的一大障碍在于处理器从大容量存储中获取数据花费的时间。这种新的非易失性存储器是一种革命性技术，能实现快速访问海量数据，带来全新的应用。”
Gartner分析师马廷·雷诺兹(Martin Reynolds)表示，这一新技术最初很可能被大型数据中心的运营者，例如和使用，以提高服务器性能。
他表示：“对它们而言，这带来了巨大的机会，因为它们可以大幅提升服务器的存储量。这是一个全新的市场，你将会看到随之而来的一些新增长。”
英特尔和美光并未透露用于3D XPoint技术的材料细节。这一新的存储芯片采用了非晶体管架构。美光位于犹他州Lehi的工厂将从明年开始生产这款芯片。
美光和英特尔已经成立了一家合资公司，生产用于移动设备和计算机数据存储的闪存芯片。美光也在为手机和PC生产内存芯片，并与韩国的三星和SK海力士存在竞争关系。(维金)
英特尔公司(Intel Co. ,INTC)和美光科技公司(Micron Technology Inc. ,MU)表示，他们研发的新一代记忆芯片可以显著提升电脑、智能手机和其他高科技产品的性能。
两家公司表示，即将面世的这款芯片将比目前应用在大多数移动设备上的NAND闪速存储器快了最多1,000倍，比主流电子硬件设备中使用的DRAM随机存储器储存多达10倍的数据。
两家公司称，这款被称为3D Xpoint的新一代芯片虽然无法与DRAM存储器的速度匹配，但像NAND闪速存储器一样，该芯片能在中断电源后保留数据。
两家公司并未披露更多技术细节，包括新款芯片所使用的材料以及初步售价。他们预期将于今年稍后在两家公司共有的一座位于犹他州的工厂推出这款芯片的样品，即能存储128GB数据的双层芯片。两家公司计划日后通过增加更多电路系统来进一步提高这款芯片的存储能力。
$/MB也很关键。
7月28日，英特尔公司和美光公司联合发布名为3D XPoint的新一代非易失性存储器。新
型存储器是1989年发明的上一代非易失性存储器NAND闪存的换代产品，与后者相比，存
储密度可提高十倍、寿命可延长数百倍、存储速度可提高一千倍。以往，由于存储器的
非易失性和存储速度两者不可兼得，现代计算系统采用多层次存储体制，体系日趋复
杂，从非易失性外部存储器获得数据所花费的时间，已经成为制约现代计算发展的主要
瓶颈。新型存储器有望彻底改变这一局面。
以后硬盘和内存可以不分了。
要是能再快点，连cpu里的cache都能替代了。
换句话讲，再快十多倍，存储器可以和cpu内核三维堆叠在一起了。不仅快得没边，
而且掉电不丢内容。
而且，可以直接操作到存储单元，不象以前基于内存块的操作。
对大数据处理，十分有利。这玩意就是频繁读取外存嘛。
嗯，以后的机器都可以一秒开机，冷开机。
不过死机了怎么办呢，重启也不管用啊
这个新闻的数据是不是有问题？它说新存贮器比现在的闪存快一千倍。实际上现在的闪存的速度乘以一千会大大超过现在内存的速度。
没准是存取时间
这里谈的闪存速度是擦写速度us量级的 内存ns量级的 Phase Change在10ns以上 严格意义上不可能代替DRAM 要等DRAM做不下去了才行 PCRAM的操作特性还是有些问题 比如高功耗。
据说寿命很低。
tlc现在都还没流行起来，这货寿命应该比tlc还要低
据说寿命很低。