intel和台积电，三星，gf的工艺差距
时间：12-12
整理：3721RD
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intel 14nm栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm
22nm是90nm和80nm
tsmc 16nm的栅极间距为90nm，内部互联为64nm
samsung/gf为78nm和64nm
intel 14nm栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm
22nm是90nm和80nm
tsmc 16nm的栅极间距为90nm，内部互联为64nm
samsung/gf为78nm和64nm
伟大的工艺！