请教各位有关带隙基准的问题

请教一下各位：
   设计了一个简单的带隙基准电路，运放采用折叠结构，输出1.2v，经过buffer放大后产生需要的2.4v，仿真拉偏都没有问题。但是流片后测试发现有的电路功能正常，有的输出不正常，不正常输出的基准电路如果升高电源电压就会正常输出，感觉就是正常开启电压升高了，这是哪里的问题？
望大家不吝赐教，多谢了

谨慎怀疑是运放的问题

start up 的问题？

1.跟对方要WAT fullmap,看看坏的电路在Wafer上所对应位置的Vt是不是真的高
2. 如果WAT看不出问题，你可以让FAB 对好和坏的单元做对比，告诉他们电路具体的位
置，做Nanoprobe分析单个器件的行为，找到那个器件出了问题。

仿真一切正常啊，包括极限模型情况，是设计余量不够吗？

如果start-up有问题的话，是不是不正常输出的基准值应该在0v或接近电源电压啊？
对于输出不正常的电路，测试输出基本集中在1.1v左右，并不是随机值.

无法具体到单一的器件，一片wafer理论上可以测试几十个点（也可能没有测试那么多，要看具体情况），找到测试点与你最接近的位置进行分析。
如果你是大客户，让fab 帮你搞定一切,就问为什么这样,有好有坏,不管是设计的问提还是工艺问题,他都要回答.如果你是小客户,他可能就不理你,说你设计的margin 太窄了.

1. 内部可能有振荡
2. 查查所有管子在PVT组合下的Vov是否有足够裕量

先不要怀疑工艺，一般是设计问题。

检查过整个环路的相位裕度吗？用的什么类型的电阻？