做cmos sensor用的mask数量一般要比普通logic多多少？

做像素的时候有一些特殊工艺层，要不像素特性上不去

微镜头是咋回事？

那是聚光用的。在像素尺寸变小之后，像素内的感光区域占像素整体的比例就小了（像素内除了感光部分的光电二极管，还有其他器件。一般是一个光电二极管加上3或4个晶体管构成一个像素）。为了更好的吸收光子，就在每一个像素上面做了一个凸透镜，这样就把光线更好地聚焦在像素内的感光部分了。

说是sensor 的工艺180差不多了？
90nm 的都很少用？

不是很清楚现在大家都用什么工艺，应该跟像素数目有关，像素多的sensor用的工艺应该更先进。12M sensor的像素间距已经是0.9um了。

喵~刚查了查，看来我错了，豪威12M的sensor是1.1um或者1.4um的，没有查到有0.9um。记住12M对应0.9um，800M对应1.12um是因为之前看到可一个TSMC的ppt，上面简略地把像素数目和像素间距对应起来了。

sony 09年在IEDM就发布过0.9um的
不过可能没有量产

一个像素有多大？0.9是指中心距还是边距？

0.9指的是像素的中心距，也就是pixel pitch。边距和中心距的区别是什么？

喵，巨头们应该进行过相应的研发，但是在商业生产上没有用

我就是关心一下工艺的最小尺寸，如果感光二极管/透镜需要大于0.8来保证捕获红光的话，那剩下的地方不多啊～

我不太懂——透镜的作用不就是可以让感光部分更小么？

我的理解是，透镜增加了局部光强，但不会改变波长，无论如何要兜住一个波长才行。

这是为啥？

具体理论我也不太懂，应该可以同理参照空间站的捕捉宇宙背景红外的望远镜那巨大的口径。

尺寸1.1um，也不是说单个pixel就是那么小，一般是多个pixels share transistors,所以剩下的空间还是有的。比如4T结构的话，四个pixel共用四个T，那平均下来每个pixel除了photodiode再留出一个T的位置就好了