请教同步整流的boost DCDC中latch-up risk的问题

在做一颗同步整流的boost DCDC,发现用普通的CMOS工艺，集成的switching PMOS
会有latch-up问题， 因为dead-time电感续流时会使寄生的纵向pnp 导通，有什么好的方法来阻止
latch up 的risk发生？如果仅用普通的CMOS工艺，layout上需要注意什么，如何实现？

我也在思考这个问题，感觉LATCHUP，风险极大 ！