求比较两种简单ESD电路优缺点
一般文献是用的右边这种，但我们现在是用的左边的。
不知到左边比右边的好在哪里，有人能分析下吗。
我觉得可能是没有latch up，因为只有N管？
可以用在辐射环境下？
谢谢！(图好像要点一下才显示全）
老兄估计只是弄了个示意图，右边的确是通常用的ESD，但是由于NPN与PNP的特性不同，P管和N管的尺寸相差却是很大的，而不是一样（图片中管子尺寸相同）。
左边的电路下边的N管是G-G结构，在输入相对于VSS有浪涌的时候，可以实现G-G的放电行为。
上边的N管在输入对于VDD的PIN的有浪涌的时候才能工作，工作的时候只是一个NPN的行为所产生的snapback曲线，而不是G-G行为。MOS管寄生的三极管和普通的三极管的特性有很大不同，慎用！
左边你们设计的电路的确不会产生栓锁效应。好处之一？
为什么左边的比右边的好？谁设计的找谁吧，我帮你灌灌水，顶顶贴
谢谢！右边只是从左边改的，尺寸不对。
还有左边的连GATE（容易击穿），也好像不太好，
不过有人说左边的好 ：“左边的是比较合理的，利用NMOS的snapback特性，要注意几个转折点的电压。
右边的使用PMOS通常是不好的，PMOS击穿后其钳位电压是上升的，保护很弱的。”
若ESD版图正确，右边也不会出现latch-up
两边MOS尺寸都不对吧？ 25um？多少伏ESD？
一般PMOS snapback不好做出来，所以上面也会用NMOS，或者直接开漏输出。上面的nmos负 pulse peak时，发生snapback。另外，只看这个图，没多少信息，重要的是看整体ESD方案如何，esd discharge bus是啥？只有地线？还是有电源线？要从电流路径来判断。
其他考虑，信息不全，不好判断，多少伏的MOS？breakdown多少？输入范围多少？电源多少？
谢谢。只看见别人版图是这么做的，2.5V电压，电源和地没有其它措施了。
您的意思是说左边那个其实要好点，要实用点吗？
不过有个主要的问题：其输入接gate了，这个在比较快的ESD来时，
应该很容易被打坏（衬底为0电位），
造成短路。从这点来看，是否没有用PMOS好呢？
左边不会闩锁的结论是如何得到的？电源总会接pmos的，就看距离远近了，无论如何NMOS的漏接电源都是要尽量避免的行为吧？
不客气，只是我的理解而已，
Mos 管 break down电压多少呀，snapback 之前没有break down就行，MOST是什么类型的？是否厚栅？
我觉得先从版图上确定电流路径（管子大，线粗的地方），在判断功能比较容易一些，呵呵