请教一个SoC中高精度RTC的问题

请问各位高人影响RTC精度的约束条件有哪些？
一般的反相器结构
我看到的资料上有
1、外接晶振的温度系数
2、晶振的负载电容，影响牵引系数
Gm什么的不影响频率么？
提供直流点的并联电阻取值依据？
晶振的振幅由什么决定的？
谢谢啊！

Gm对频率有一定影响，晶振Q值越高，其影响越小，振幅受Gm控制的吧，一般电流越大，振幅越大，但是也不能太大，超过了其最优值反而不容易起振

并联电阻提供了从IN到OUT端的跨导，该跨导要远小于起振所需的最小Gm

嗯，谢谢。
请教一下，这个结论是怎么得到的呢
我翻了一些文章几乎没有提到跨导和并联电阻对频率的影响

eric vittoz写过一本书叫做low power crystal and mems oscillator 里面有关于晶振电路损耗和非线性的分析

哦，谢谢。
这两天正在看他88年jssc的一篇文章。不过还不是很明白
不知道现在的soc中几个ppm的晶振是怎么做到的
我仿了一下，pvt下gm引起的频率就有好几个ppm了