微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > 微电子学习交流 > 硅晶片上的痕量杂质是如何探测的?

硅晶片上的痕量杂质是如何探测的?

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
--

离子迁移谱像质谱一样,没见过用来测wafer,都是做气体痕量检测啥的。
见过的wafer表面元素分析的报告,都是XRD或者SIMS的,XRD的居多,便宜。

学习了,原来trace metal中文翻译是痕量。。。
ICP-MS是300mm bare wafer表面金属标准测量方法
好像XRD没有测300mm的。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top