IPFA 2013培训讲座
时间：12-12
整理：3721RD
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教程安排
Date / TimeMorning (9:00am - 12:00noon)Afternoon (2:00pm - 5:00pm)
15 July 2013
(Monday)讲座1：失效分析：最佳实践、挑战和趋势Dr. Phillippe Perdu, CNES, France讲座2：在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
Prof. Kin-Leong Pey, SUTD, Singapore
16 July 2013 (Tuesday)讲座3：MOS器件的辐射响应和长期可靠性Prof. Daniel M. Fleetwood, IEEE fellow, Vanderbilt University, USA讲座4：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的变化无常Prof. Guido Groeseneken, IMEC, Belgium
讲座1：15th July Morning
By Dr. Phillippe Perdu, CNES, France
Philippe Perdu is the Senior Expert in microelectronics at CNES. He has led the VLSI Failure Analysis CNES laboratory since 1988. His main activity is to develop techniques and to adapt tools for analysis of electronic components dedicated to space applications. The main target is fault isolation / defect localization.
主题：失效分析：最佳实践、挑战和趋势
文摘：不同于各种技术的一个整合，本教程将特别注重最佳实践：从工艺伊始—驱动失效分析的特定目的—到对缺陷定位，包括为芯片评估而进行的样品制备。即使物理分析有所涉及，将不会对非常大量的现有技术进行详细讨论。一些经验法则将被描述和解释：如何选择正确的缺陷定位工具，如何使失效分析适应于正确的目标....... 经验法则应该是帮助失效分析师完成任务、正确设置失效分析的流程、与正确的人进行互动并提出纠正性的措施的规则。具体的挑战和趋势都将被预览和综述。它主要涉及光学分辨率更小的纳米结构所带来的问题和由3D器件所带来的新挑战。
讲座2：15th July Afternoon
By Prof. Kin-Leong Pey, SUTD, Singapore
Prof. Kin-Leong PEY is an Associate Provost of the Singapore University of Technology and Design (SUTD). He has held various research positions in the Institute of Microelectronics, Chartered Semiconductor Manufacturing, Agilent Technologies, and National University of Singapore.
主题: 在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
文摘：在对高k栅介质/金属堆栈击穿进行的纳米物理分析中发现，在高k栅介质中的微结构缺陷和介电击穿引起的损伤非常不同于传统的SiOxNy/多晶硅栅堆栈。用透射电子显微镜(TEM) 进行的化学分析和用扫描隧道显微镜进行的电分析，提供了关于击穿诱导缺陷的性质和演化的有效信息，也提供了负责金属氧化物半导体场效应晶体管介质击穿的材料微观结构的作用的有效信息。结合电分析，在纳米尺度上对各种栅介质材料微观结构和材料变化的分析已经建立。本教程还将公布最新的TEM研究：通过在TEM中的原位STM探针对高k栅介质的诱导击穿进行实时观察。微结构变化诱导击穿对介质的击穿和恢复的影响和作用被验证。新的击穿和恢复机理对高k栅介质/金属堆栈的性能和可靠性的影响被讨论。
讲座3：16th July Morning
By Prof. Daniel M. Fleetwood, IEEE fellow, Vanderbilt University, USA
Daniel M. Fleetwood received his B. S., M. S., and Ph. D. degrees in Physics from Purdue University. Dan Fleetwood’s research activities focus on the effects of radiation on and long-term reliability of microelectronic materials and devices. He has worked primarily in the areas of total ionizing dose effects on Si-based MOS and bipolar devices and integrated circuits, low-frequency noise, thermally stimulated current, and defects in microelectronic devices and materials.
主题：MOS器件的辐射响应和长期可靠性
文摘：本教程将讨论MOS器件在空间和地面环境中的辐射响应和MOS集成电路的长期可靠性。辐射响应的讨论将强调单一粒子的相互作用和总电离剂量效应。将对那些可能导致在高度按比例缩小的MOS器件中的单个和多个位软错误的因素进行阐述。长期可靠性的讨论将主要集中在由长期电应力造成的半导体/绝缘体界面的缺陷(如负偏温度不稳定性和热载流子效应)和单事件硬错误(如栓锁效应)方面。本教程将包括一个关于评估和保证MOS辐射容错在实用性和成本效益方式的讨论，也包括辐射和高场应力结合所带来的影响。
讲座4：16th July Afternoon
By Prof. Guido Groeseneken, IMEC, Belgium
Dr. Guido Groeseneken received the M.S. degree in electrical engineering (1980) and the Ph.D degree in applied sciences (1986), both from the KU Leuven, Belgium. He has made contributions to the fields of non-volatile semiconductor memory devices and technology, reliability physics of VLSI-technology, hot carrier effects in MOSFET's, time-dependent dielectric breakdown of oxides, Negative-Bias-Temperature Instability effects, ESD-protection and –testing, etc.
主题：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的可变性
文摘：本教程将对与先进CMOS器件相关的可靠性和失效机理进行探讨和解释。本教程将主要集中在两个失效机理：时间有关的介质击穿和偏置温度不稳定性。这两个失效机理的基础将被解释。提取预测器件寿命的表征方法和数据分析方法，以及引入high-k栅介质、金属栅和像锗硅一样的替代沟道材料的影响将被讨论。最后，将讨论从一个确定的到更随机的失效机理行为的改变所导致的所谓时间有关的变异行为；它强调需要替代的可靠性评估方法，如感知可靠性设计方法。
For more information, please check our website for the details and to register: http://ieee-ipfa.org/
You may also contact Miss Cicely Li at Tel: (+86) 512 – 67870201 or (+86) 13390849832 or Email: ipfa@hhcore.com
※ FROM: 223.64.61]
※ 来源:·水木社区 http://www.newsmth.net·[FROM: 58.210.236]
Date / TimeMorning (9:00am - 12:00noon)Afternoon (2:00pm - 5:00pm)
15 July 2013
(Monday)讲座1：失效分析：最佳实践、挑战和趋势Dr. Phillippe Perdu, CNES, France讲座2：在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
Prof. Kin-Leong Pey, SUTD, Singapore
16 July 2013 (Tuesday)讲座3：MOS器件的辐射响应和长期可靠性Prof. Daniel M. Fleetwood, IEEE fellow, Vanderbilt University, USA讲座4：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的变化无常Prof. Guido Groeseneken, IMEC, Belgium
讲座1：15th July Morning
By Dr. Phillippe Perdu, CNES, France
Philippe Perdu is the Senior Expert in microelectronics at CNES. He has led the VLSI Failure Analysis CNES laboratory since 1988. His main activity is to develop techniques and to adapt tools for analysis of electronic components dedicated to space applications. The main target is fault isolation / defect localization.
主题：失效分析：最佳实践、挑战和趋势
文摘：不同于各种技术的一个整合，本教程将特别注重最佳实践：从工艺伊始—驱动失效分析的特定目的—到对缺陷定位，包括为芯片评估而进行的样品制备。即使物理分析有所涉及，将不会对非常大量的现有技术进行详细讨论。一些经验法则将被描述和解释：如何选择正确的缺陷定位工具，如何使失效分析适应于正确的目标....... 经验法则应该是帮助失效分析师完成任务、正确设置失效分析的流程、与正确的人进行互动并提出纠正性的措施的规则。具体的挑战和趋势都将被预览和综述。它主要涉及光学分辨率更小的纳米结构所带来的问题和由3D器件所带来的新挑战。
讲座2：15th July Afternoon
By Prof. Kin-Leong Pey, SUTD, Singapore
Prof. Kin-Leong PEY is an Associate Provost of the Singapore University of Technology and Design (SUTD). He has held various research positions in the Institute of Microelectronics, Chartered Semiconductor Manufacturing, Agilent Technologies, and National University of Singapore.
主题: 在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
文摘：在对高k栅介质/金属堆栈击穿进行的纳米物理分析中发现，在高k栅介质中的微结构缺陷和介电击穿引起的损伤非常不同于传统的SiOxNy/多晶硅栅堆栈。用透射电子显微镜(TEM) 进行的化学分析和用扫描隧道显微镜进行的电分析，提供了关于击穿诱导缺陷的性质和演化的有效信息，也提供了负责金属氧化物半导体场效应晶体管介质击穿的材料微观结构的作用的有效信息。结合电分析，在纳米尺度上对各种栅介质材料微观结构和材料变化的分析已经建立。本教程还将公布最新的TEM研究：通过在TEM中的原位STM探针对高k栅介质的诱导击穿进行实时观察。微结构变化诱导击穿对介质的击穿和恢复的影响和作用被验证。新的击穿和恢复机理对高k栅介质/金属堆栈的性能和可靠性的影响被讨论。
讲座3：16th July Morning
By Prof. Daniel M. Fleetwood, IEEE fellow, Vanderbilt University, USA
Daniel M. Fleetwood received his B. S., M. S., and Ph. D. degrees in Physics from Purdue University. Dan Fleetwood’s research activities focus on the effects of radiation on and long-term reliability of microelectronic materials and devices. He has worked primarily in the areas of total ionizing dose effects on Si-based MOS and bipolar devices and integrated circuits, low-frequency noise, thermally stimulated current, and defects in microelectronic devices and materials.
主题：MOS器件的辐射响应和长期可靠性
文摘：本教程将讨论MOS器件在空间和地面环境中的辐射响应和MOS集成电路的长期可靠性。辐射响应的讨论将强调单一粒子的相互作用和总电离剂量效应。将对那些可能导致在高度按比例缩小的MOS器件中的单个和多个位软错误的因素进行阐述。长期可靠性的讨论将主要集中在由长期电应力造成的半导体/绝缘体界面的缺陷(如负偏温度不稳定性和热载流子效应)和单事件硬错误(如栓锁效应)方面。本教程将包括一个关于评估和保证MOS辐射容错在实用性和成本效益方式的讨论，也包括辐射和高场应力结合所带来的影响。
讲座4：16th July Afternoon
By Prof. Guido Groeseneken, IMEC, Belgium
Dr. Guido Groeseneken received the M.S. degree in electrical engineering (1980) and the Ph.D degree in applied sciences (1986), both from the KU Leuven, Belgium. He has made contributions to the fields of non-volatile semiconductor memory devices and technology, reliability physics of VLSI-technology, hot carrier effects in MOSFET's, time-dependent dielectric breakdown of oxides, Negative-Bias-Temperature Instability effects, ESD-protection and –testing, etc.
主题：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的可变性
文摘：本教程将对与先进CMOS器件相关的可靠性和失效机理进行探讨和解释。本教程将主要集中在两个失效机理：时间有关的介质击穿和偏置温度不稳定性。这两个失效机理的基础将被解释。提取预测器件寿命的表征方法和数据分析方法，以及引入high-k栅介质、金属栅和像锗硅一样的替代沟道材料的影响将被讨论。最后，将讨论从一个确定的到更随机的失效机理行为的改变所导致的所谓时间有关的变异行为；它强调需要替代的可靠性评估方法，如感知可靠性设计方法。
For more information, please check our website for the details and to register: http://ieee-ipfa.org/
You may also contact Miss Cicely Li at Tel: (+86) 512 – 67870201 or (+86) 13390849832 or Email: ipfa@hhcore.com
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