求教一下 non-salicide 与 salicide 区别

谷歌了一下，没找到明确答案，求指教！
non-salicide 电阻与 salicide电阻 区别，怎么使用？
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salicide是为了减小poly gate电阻在上面做的金属溅射
所以高方块电阻的poly电阻都是non-salicide的。
另在某些工艺下，有些ESD的保护结构中，漏极也是没有salicide的

ESD那个主要是对有源区做salicide block,为了增加GGNMOS(一种ESD器件)的漏极电阻,以实现它的导通一致性. 具体原理可参加GGNMOS的工作原理

re
刚才写错了，那个salicide block是加在drain端，相当于加大drain端接触电阻，提高耐压

其实也不光是drain
通常情况是source, drain和gate一起做的，所以要不做就都没有了

是的，一般source和drain都做的。至于说gate做，有什么用呢？

此其一
另外，在大多数情况下，就算不想要也没办法，这么窄的gate，也没有办法单独屏蔽掉gate不做salicide而不带来任何后果。要不然也不叫salicide了

salicide 工艺是在多晶硅栅和源漏上形成金属硅化物，降低互连电阻，目前多用此工艺！
对应的有polycide，只在栅上形成金属硅化物！