在低压低功耗模拟电路设计中，大家有没有用过Bulk-driven技术

Among many techniques used for the design of LV LP analog circuits, the Bulk-driven principle offers a promising route towards this design for many aspects mainly the simplicity and using the conventional MOS technology to implement these designs.
Bulk-driven ，有没有啥明显的缺点和不足？有哪些方面值得注意的吗？

产品里面有用吗？我还是觉得比较担心model的准确度

量大的产品这样肯定不行，太麻烦了，运营受不了...

做过一个电路，结果不靠谱
我老板说Bulk-Driven是垃圾
其实据我分析，是现存的器件模型对bulk端的特性预测不准

是的，问的是模拟电路中的bulk-driven技术，主要用在低压Opamp或者source follower的buffer中。输入信号接MOS管的bulk，不再是Gate。同样是source或者drain输出。

不好说，
你要是芯片面积够大的话可以试验一下，但是千万不要报太大希望。。。
vicky说得是给bulk加个可调电压改变mos的vth，这个是肯定可以的
但你在bulk输入的是交流信号，对mos的模型准确度要求很高。。

在我看来就是在相同电流偏置的情况下，通过Drive bulk & gate提高gm,进而提高电流效率， gm/id，这个有意义。其他的我看不到为什么用Bulk drive，还要考虑衬底上diode漏电的问题。
我用bulk biasing就是为了modulatevth

难道某个工艺的gm<gb?要不然的话有什么意义呢？

1，如vik所说，通过Drive bulk & gate提高gm,进而提高电流效率， gm/id
2，适合低压工作
怎么大家都没用过这种技术呢

用，但是前提有以下几个
（1）MOSFET做在DNW里面（总之做在pocket里面），不能影响整个大衬底，否则干扰厉害
（2）电压必须低，否则衬底上有diode通了，你gate 和sub都连着输入信号，会影响输入阻抗，得不偿失
我看到的都是静态偏置改Vth比较多。你就多烧点电流呗。