请教：LC负阻VCO中尾电流源的相噪贡献

最近设计一个VCO，尾电流源是由bandgap电路产生的PTAT电流，当用电流镜时，即电流
镜的输入电流为理想电流源，相噪比较好，当将bandgap电路整合到一起时，delta f为
1MHz处的相噪一下恶化了30dB左右，这肯定是bandgap电路噪声延伸到尾电流源上了，没
想到会有这么大，请问大家碰到过类似的问题吗？我尝试在电流源的gate上加滤波电容，
加到几十个pF都没有什么改善，这说明是较低频率处的噪声引起的，不是二次谐波处的噪
声干扰（我的VCO频率为1.5GHz），要是1MHz处的噪声变频到了1501MHz，那该如何降低
其影响？
另外，在用pss和pnoise仿真VCO的相噪时，如何看1MHz处的各个噪声源的相噪贡献，比
如我的VCO振荡频率是1.5GHz，频率是选1MHz还是1501MHz？谢谢。

如果你想优化low freq offset的phase noise，你可以sweep你的bias current Vs phase noise，从而能够获得一个抛物线形状的波形，在抛物线的极值点附近（导数接近0），current噪声贡献最小，这个从窄带FM理论很容易证明。
你可以通过print-》 noise summary，设定1M offet看噪声贡献比例啊

加大channel length 试试？我觉得是flicker noise吧。

print-->noise summary
加一阶RC吧，corner可以小于1K，小心漏电流

谢谢大家的帮助，通过串联一个电阻确实消除了bandgap的噪声影响。
但我采用了两个不同的工艺，一个是0.13CMOS，一个是0.35 BiCMOS，采用的
bandgap结构完全类似，VCO架构也一样，且各个晶体管的偏置条件也一致，0.35的设计
不加串联电阻，bandgap对VCO的相噪影响也可以忽略，但0.13的就不行了，不加的话，
恶化30dB。也不知道啥原因，继续努力中。