VCO中负阻管的过压问题？

为了降低VCO的相位噪声，一般VCO的输出幅度比较大，这样致使负阻管栅源两端的电压就
很容易超过电源电压，也就是超过管子所能承受的最大电压值。但这是瞬态值，不是稳态
直流偏置值，是不是没有关系？请大家给小弟指点迷津，谢谢。

会有长期可靠性失效的问题，所以很多的VCO都做成了PMOS和NMOS互补的结构，当然这个会
损失tuning range,因为pmos的尺寸会相对大一点，也要有足够的电压空间。看做什么了，
做产品，长期用；还是发文章灌水。有些频率下根本没有ft足够高的pmos。

有关系，今年ISSCC12有片Transformer-based VCO的文章就是通过Drain和Gate分开，使Drain饱和而Gate可以超过Vdd，摆幅很大，这个估计实际应用上有你所说的问题。击穿是一方面，还有HCI效应会降低可靠性

这也要看产品的耐久性了，如果是10年的，得一切求稳；如果是2,3年甚至更短就更新换代的，激进一些的design，也没有问题