仿真里选用mutiplier与否的区别？

设计Regulator,power pass FET是非常宽的晶体管，例如180um/0.6um。
仿真是W采用180和采用15×12的结果有不小的差别，请问主要是由什么造成的？
Cgs,Cgd？
另外layout中怎么画这种非常宽的晶体管比较好？如果我的layout是15×12的结构，是
不是仿真中也应该相应对应？另外这种power pass FET采用最小长度0.6um可以不？
多谢大家的回复！

记得spice model有个effW，这个可能造成两个不一样的原因
180的power fet不算很大的说....再大些的layout可能需要讲究一下～
powerfet一般都是用min L的...

同样的弱智问题
我仿2W/L管子的电流是W/L电流的3倍。
例如Vgs=Vd=2V，1.5um/0.6um的电流是75uA，3um/0.6um的电流是226uA
是说3um的Weff是1.5um的三倍？

weff会影响很多方面，比如vth，并不是因为weff是3倍

短沟道和窄沟道效应在当下的工艺下模型已经非常复杂了，而且代工厂对其进行了人工
干扰。不过有一个简单的办法可以很清晰的把他的趋势显示出来：DC扫描宽度和长度，
把模型计算出来的Vth用matlab画一个二维图像，这时你可以清楚的看到两种效应的趋势
还有工厂干预的痕迹。