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如何量化毛刺对动态性能的影响

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
目前再做一个DAC,查了一些书和论文,知道了DAC的输出电流毛刺会对DAC的动态性能(如SFDR)造成影响,但是应该如何量化这个影响? 有相关的论文或公式吗?
谢谢

根据毛刺的脉冲宽度和高度,估算出毛刺的能量,如果能让每个转换毛刺的能量低于量化
噪声,那就可以忽略毛刺的影响,具体你可以去看看nick tan的书,里面有计算方法

谢谢! nick tan的书是指“CMOS data converters for communications”
这本吗? 还有我现在只是对一个电流源进行仿真,因此输出毛刺是由馈通和电荷注入引起的,不是输入码转换引起的,这种毛刺还是采取这种量化方法吗?

很难量化。作为一个粗略的模型,你可以计算每两个digits之间切换的时候,总的glitch power,然后用matlab做behavioral simulation. 但是版图之后每个cell到输出端的延时,还是没法在设计的时候预测,而这个延时以及相互之间的时间差对sfdr的影响也很大。
作为抛砖引玉,你可以看看我的硕士论文,哈哈

每个cell的glitch power低于noise,多个cell叠加的结果可能就超过噪底了

现在我只是刚把电流源做出来跑了一下tran,输出电流有毛刺,并不是输入码切换时产生的毛刺。我想知道这个毛刺应该限制到什么程度? 另外求硕士论文具体题名
谢谢

Design of High-speed and Low-power DACs for Broadband Communication Systems
不是0->1,1->0切换的时候有毛刺那还会什么情况有毛刺,要么就是clock的feedthrough,这你肯定还仿真不到

就是馈通和电荷注入引起的,为什么仿真不到呢? 我改变控制信号幅度,毛刺的大小会变化

对啊,digits不变,控制信号哪有变化幅度
你的clock又不是直接接在电流源的开关上的

我理解错了。请问在设计的时候需不需要对单个电流源仿真时因为digit在0和1之间切换引起的glitch进行优化,还是直接考虑所有digits切换时引起的glitch

需要优化,当然单个的glitch越小越好。至于需要小到什么程度,要整体做个模型仿真先预估一下

囧啊,我找不到你的那篇硕士论文,能不能给我个链接?
关于做模型预估,我只是个小本,还没有做过类似的东西,可以给我个大方向上的指导吗? 或者参考书目,论文也行
感激不尽

本科生啊,那不用研究这么深入,随便做做就行了,哈哈
或者温度计码多用几位
你可以看看这两篇paper:
Lin C and Bult K. A 10-b, 500-MSample/s CMOS DAC in 0.6 mm2. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1998, 33(12): 1948-58
Bastos J, Marques A M, Steyaert M S J, et al. A 12-bit intrinsic accuracy high-speed CMOS DAC. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1998, 33(12): 1959-1969.

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