sram的功耗大概是怎么算的？

就简单知道一个大概的量级就行了
请问知道吗？

我们这里主要评估的就是静态的功耗
不读写的话，就是看漏电流了吧

静态的功耗没有什么好评估的吧
我就是想看看尽量减少sram的读写会带来多大的功耗好处

哦，你是做结构的呀
他们不是常用CACTI么，你搜搜看。

这个不是不同的vendor，都会提供memory的document吗？
里面都会提到计算功耗的公式
而且相对应不同的工艺都会有不同的结果吧
我们都是根据memory的spec来计算功耗的，一般量级在mA级别，几十到几百mA，看你memory大小

嗯，都是用memory compiler生成的
不过似乎没看到doc
我找找啊

对的，就是看那个doc

你需要计算的是动态功耗还是静态功耗？
（1）如果是动态功耗，你可以手算一下。f(0->1)*C*V^2;
（2）如果是静态功耗，需要你知道这个工艺的漏电，你也可以大概算一下
（3）你如果已经有了电路的话，你可以接上一个0V电压源在VDD与电路之间，测得电流电压的乘积积分照样可以获得功耗

当然，如果有专门的工具来得出“统计意义”上的功耗，也是一种选择，但这个工具的主要任务就是计算开关活动性，这个方面手段就很多了

memory compiler出来的也会有datasheet,可能是pdf,也可能是html格式,里面会有
power相关信息的,静态动态都有,动态的是个统计结果,而且和频率相关
memory compiler出来的synopsys model里也有power信息

如果是mc的话，你在产生每一个不同size的memory的时候，里面都有一个datasheet的，
里面会有他们的r/w power的大小的，基本上如果是mc的sram size都不大，我记得一般
就是几个mA到十几二十个mA吧，不同的PVT差异不大。你说的ceb或者web翻转的pinpowe
r应该不大的，量测的时候是按照其他pin不动，ceb/web翻转的power，然后把所有的le
afcell这个时候的power按照leafcell的数量叠加起来。

上面讲的有误，更新一下。sram的read/write power主要跟global IO（bus）的多少有
直接的关系，IO越过，power越大。这也是为什么IO越多的sram，IREM越差的主要原因。
DATASHEET里面主要是提供read/write power（uA）/ Frequency的数据，数量级是几个
uA到20-30uA，PVT不同，差异大概是20%-30%。还有诸如ceb/web等的pinpower一般都很
小，一般是0.0x-0.x个uA/f （MHz）。