请问版图中contact的两种画法有什么区别
时间:12-12
整理:3721RD
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比如一个区域内,能打下两个最小的contact,那么:
1. 打两个最小的contact;
2. 打一个contact,面积是最小的contact的2倍。
请问有什么区别吗?如果有,用哪个较好?
多谢!
1. 打两个最小的contact;
2. 打一个contact,面积是最小的contact的2倍。
请问有什么区别吗?如果有,用哪个较好?
多谢!
1比较好。可靠性比较好。
打1个的话,可能会有由于工艺原因造成的没打上。
增大面积只是增加电流能力,一般来说,这么少的pcon,电流也大不到哪里。
2应该是不允许的
而且也不只是怕一个打不上的问题
只有2个可能不一定出问题,如果数量大,不按最小尺寸画可能会影响整个wafer的yields
不考虑电流能力,也不考虑并联电阻,而且就认为完全能打上的前提下。
打个很大面积的contact会不会对平面性有影响?
影响整个wafer的yield?请问怎么影响的呢?
平面性的影响要看contact后面的M1的工艺条件,例如contact尺寸、metal厚度、是否有钨塞等等,不过一般来说影响不大。
影响整个wafer yield可能是出于contact etch的考虑吧,如果版图中contact尺寸一致,contact etch的工艺一致性会比较好
我曾经看到过,因为把一串contact连在一块,PR整个被应力拉偏了一点导致别的地方的一些contact只露了2/3甚至更少出来
不知道他们工艺库怎么设的
我记得当时我试图改过contact大小
不管怎么改都会报DRC错,所以就用默认值了
re
我用过的工艺design-rule中都明确规定contact大小都是不能改的
不知道lz用的啥工艺?
contact只有一个尺寸,大/小都不合适,可能会造成孔刻得不好,或者回填的金属有问题。开孔过大的话,回填的金属会凹进去,容易造成接触不良。 一般只有某些层的厚度比较特殊,才需要foundry帮你调通孔的大小。