请问个MOSFET operation 的问题

通常说的电压 V_GS 是指 Gate-Substrate 的电压， 而 V_DS 是 Drain-Source的电压对吧？
我看到两张分析 i-v 曲线图：
第一张里， 不同 Id-V_DS 曲线对应的是 V_GS, 但是 V_DS = V_GS - V_T
第二张里， 不同 Id-V_DS 曲线对应的是 V_GS - V_th
我于是就有点晕， 版友们能否指点下， 如果这两张图都正确的话， 那该怎么联系起来啊？ 谢谢了

第一张图的vds=vgs-vth是那条细线，表示饱和区和线性区的区分。

哦~ 明白~
那请问两张图里， 一个是V_GS-V_th, 一个是V_GS， 哪个是对的呢？ 谢谢

两个都对啊...一个的参量是vgs-vth,一个是vgs。无非是相当于纵向平移了一个vth。

恩~ 明白了， 谢谢大家
还有个小问题， 就是刚才提到的：“通常说的电压 V_GS 是指 Gate-Substrate 的电压， 而 V_DS 是 Drain-Source的电压对吧？”
然后， 是不是 source 和 substrate 通常都是共同接地的？