请教一个memory bist的问题

1. 把设计中所有的rf的bist都做到一起
2. 每个rf单独用MBist生成bist代码
以上两种方案，面积差别大吗？
对于一个特别大的设计（14x14, 65nm），什么样的memory bist比较建议采用？
谢谢。

用Mentor工具生成的MBist Controller每个在10K等效门，根选用多少算法有关系
方案1：
如果所有memory并行测试，节省测试时间，节省面积，但是power可能会有问题
如果用串行交错测试方式可以避免power问题，测试速度较慢，如果有选择Retention算法也可以选择这个方式
方案2：
面积较大，优点是可以在量产测试时灵活控制那些memory需要同时测试，debug也比较方便。