关于RAM的问题，急问

想用一个同步写异步读的RAM，开始仿真时简单的用reg来写的
现在发现综合后面积太大了
可是工艺自动生成的RAM只可以同步读写
不知道怎么改？重写的话很多模块都得改动，太麻烦了
求大家赐教
经验少，开始没考虑全面，后悔死了

只有这一条路可以走了么？
那真是血泪的教训了
我那个ram不大，256byte，面积会相差多少啊？

得用双端口ram吧
搭车请教ram的时序模型
一直搞不明白在读的时候它是不是可以看成组合逻辑，从地址线到输出数据的延迟是多少呢

cummings的文章里说，据DesignWare的人说，256bit以内相差不大，256bit以外就大了
不过当时2002年工艺和现在也不一样吧

ram类型很多，sram，dram，sdram，还有异步的，多端口的。。。
片内的memory一般用流水线的sram，一拍锁存控制信号，下一拍出数据。根据工艺、使用的cell以及大小的不同，时钟－》有效数据的delay是不同的。tsmc 65ns的memory的tcd可以小于1ns。
至于楼主的问题可以设计一个memory control来同步读写操作。不过，256 byte的register也没多大吧？较小的memory并没有面积的优势。

256byte 实在不需要用SRAM，译码和读写电路估计能占到SRAM阵列本身面积的两倍，而且还要考虑precharge，senser 的en设计一大堆麻烦事，多端口还要避免冲突。不如用reg搭。