微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 信号完整性分析 > 信号完整性分析讨论 > DDR4详解....各种技术参数

DDR4详解....各种技术参数

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!

频率和带宽巨大提升
使用Bank Group架构

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。

Bank Group架构又是怎样的情况?

具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。



在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。

因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。


NO 4 DDR4 封装

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。


               3DS堆叠封装技术




NO 6 关于DDR4的电压
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。

NO1:查背景
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.

顶!

必须顶

这个要顶,DDR4要学习下。

支持

老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。省略1W字

准备慢慢写。

恳请赐教

小编的DDR4来啦!顶小编。加油!

小编 不要停啊 不要停

科普贴,盖楼。

NO 2 处理器的升级


        i7 Haswell-E架构图解
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。

顶顶顶小编

NO 3 DDR4 的速率

DDR4-1600 MT/s
DDR4-1866 MT/s
DDR4-2133 MT/s
DDR4-2400 MT/s
DDR4-2666 MT/s
DDR4-3200 MT/s
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top