tDS&tDH base 的选择问题
时间:10-02
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tDS&tDH base 的选择跟一个指标ACXXXmV,例如AC175,AC150,AC135,
这些指标如何选择?
有问过做内存的厂商,他说一般取AC175,具体也不知道为什么
这些指标如何选择?
有问过做内存的厂商,他说一般取AC175,具体也不知道为什么
我也想知道
AC175的要求是最严格的,如果能过,那么就没有任何问题
依照带宽来选择,若你不跑颗粒的最高带宽不需要那么高的要求。参考规格书。
以下所述,参考参考...
根据经验,参考规格书。
这里所述之规格书是按照作动方式(向)而定。
例如Data-Bus/Write时,讯号由控制晶片传到DRAM端,此时按照DRAM的规格
并决定AC/DC levels。如此,计算接收情况是否符合规格(软体会计算tDS/tDH馀裕)。
反之亦然,在Read时,计算接收端(控制晶片)的接收情况,使用控制晶片接收时的规格
(tDS/tDH)。
只是,在一般状况下,厂商通常回覆按照Jedec规格,所以,Write/Read的tDS/tDH就变成一样了。
所以,问清楚所使用的规格来设计与仿真,过与不过,皆有一定的准则判断。
这个和眼图测量有关
