系统级时序仿真

说仿真，其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好，往往一些参数就把我们搞晕，更不用说时序参数的代入了，这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
1.芯片级的影响因素：
tco:主要是时钟没有，而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关，STA仿真后可得出具体值。
tacc:又称为delay element，dll的step长度；对信号最长最短时延有影响。
clk(skew):时钟树结构有影响，一般芯片端会做等长。
2.I/O的影响因素：
delay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay，大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样，也会由于外部条件不一致会不太一样，这个变量芯片手册称为tcom，芯片端一般叫OCV。
3.package影响因素：
RLCG,当然用S参数来表征会更精确，因为crosstalk对skew的影响。
4.PCB板走线：
大家最熟悉的，一般会按照spec要求进行等长处理。
5.软件调节：
dq-dqs:tdelay延时，以满足建立时间裕量；
dq readQS偏移1/4tCK;...
希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解，能对PCB设计等长策略有更好的理解，可以做到大致估算各时序裕量情况。
此次讨论希望大家热烈参加，仅讨论静态时序，不讨论操作时序。今天就写到这。

在芯片级提出如下问题，可以让我们对时序调整的原理进行理解，并知道实际上我们板级考虑不了的内容：
DQ与DQS写操作比较时：setup时dqs一般偏移半个时钟周期，（由于加上setup，计算时为一个时钟周期）而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期；
DQ与DQS读操作比较时：没有时钟偏移，因此DQS偏移90度，作时序对齐。（初始为0.25时钟周期偏移）
DQS与CLK信号写数据时：比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期，裕量的确会变大，但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在，但用0.25tCK进行表格公式时，时序关系不满足要求；tDSS,tDSH参数比较时，有一个DQS_HIGH时序关系（大约半周期），其原因是什么?
DV值与delay element为何有5倍的关系，为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?
芯片级pulse width的各信号如何获取?
ECHO gating

这张图片最左边为控制器->PHY（IP)->I/O(仿真时的buffer特性）->package&board（图中没有画出）->负载DDR颗粒。
从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节，下面先芯片端的影响因素和大家道来。

好贴，啊，继续啊小编，学习啊

从芯片内部出发，我们可以看到一些参数的由来，如为何存在tsu,thold；tco到底是哪部分的长度，它由哪些因素影响；tcom；时钟tree对板级的影响；dll步长及Rj。
图中，寄存器1处的延迟为TCO，寄存器2处的延迟为tsu，而TCOM为芯片上的buffer delay长度（上面定义为i/o delay)，现在看来，芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
此处：
TCO：由寄存器本身参数特性决定；
TCOM：主要由芯片layout时走线决定；
TSU:其实是读信号时的建立时间，如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立，保持时间。
而这张图基本是所有建立时序关系的基理，其它的关系无非是从中演变，但对于DDR部分的电路，add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
对于地址网络，需要满足：
max delay （tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
对于数据网络，需要满足：
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变，max delay与add网络的不太一样。
上面时序关系为简单关系，实际过程中要考虑I/O（可以通过hspice住址获得，而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值），package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。
而DQS&clk的时钟关系，由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK，DQ读信号时的时序关系。