减小轨道塌陷措施?
时间:10-02
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1、减小电源和地路径的回路电感;
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;
4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;
6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;
9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;
13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;
14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;
16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;
19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;
20、在片内使用尽量大的去耦电容;
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;
22、在I/O接口设计中使用差分对;
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;
4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;
6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;
9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;
13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;
14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;
16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;
19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;
20、在片内使用尽量大的去耦电容;
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;
22、在I/O接口设计中使用差分对;
就一句话:使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。
高手出现。
