请教一些仿真的问题
时间:10-02
整理:3721RD
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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~
1.信号的过冲和下冲:
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
2.时序问题:
SDRAM的时钟信号一般是从ARM或FPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?
1.信号的过冲和下冲:
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
2.时序问题:
SDRAM的时钟信号一般是从ARM或FPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:
电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。
驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
Tco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。
不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行
当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。
谢谢两位斑竹的解答~