功率半导体细分市场冰火两重天

 据IMS Research最新调查报告，预计2012年全球分立功率半导体市场将同比增长3.7%，产值达134亿美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同时，细分市场数据显示，对于不同的产品以及应用市场可说是冰火两重天。

IMS Research预计，2012年增长最快的分立器件和模块产品仍为IGBT。2011年，IGBT销售额首次超过10亿美元，年内大部分时间都处于供不应求的状态。这种境况一直到欧债危机及中国政府暂停了相应的能源补贴之后才有所减缓。2012年，IGBT增长的动力来自于工业电机驱动器和电源模块，以及混合动力汽车应用。预计虽然增长会放缓，但是整体分立IGBT市场仍将取得19%的增幅。

如IGBT般持续地增长是少见的，分立功率半导体市场的整体市场前景并不乐观。2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的营收都有轻微跌幅。计算领域和消费电子领域是商用功率MOSFET和整流器市场的主要驱动力，而这两个领域自2011年中以来一直下滑。预计，MOSFET和整流器在整体分立功率半导体市场所占的份额总和将由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年将进一步下滑至仅72%。2012年，不仅是对笔记本电脑、液晶电视、DVD播放器/录音机和其它消费电子的出货量将持平甚至下跌；同时，由于用户对低功耗的追求，每台设备中的功率半导体量也将有所缩减。今年在西方国家由于模拟向数字的迁移几近完成，由此导致的液晶电视销售激增的情况也接近尾声。

2012年，计算及办公设备领域占整体功率MOSFET的份额将为37%。今年，以下几个因素将导致MOSFET市场下滑：全球经济放缓，2011年泰国十月的洪灾影响了2012年前期的笔记本电脑生产，微软Windows 8发布前期的销售放缓，以及因平板电脑崛起蚕食了笔记本电脑的市场份额（相比于笔记本电脑，平板设备搭载的功率MOSFET器件更少）。计算领域MOSFET在2012年及之后将有三个主要的影响。最显著的变化在于微处理器技术方面，由于Intel最近发布的Ivy Bridge微架构将比此前的型号节省高达50%的功耗，这也表明Ivy Bridge母板将比此前少用高达50%的功率MOSFET。其次，提高功率效率的需求正推动电源适配器的设计趋向于同步整流技术，这将弃用整流二极管转而采用MOSFET。最后，服务器市场将因"云计算"发生改变，未来预计将促进大容量服务器的销售，降低稍小型服务器企业的销售。

2012年，分立功率半导体市场增长最快的是汽车和工业应用领域，包括可再生能源、通讯、医疗、照明和交通等。蜂窝手持设备和基础设施，消费电子以及计算和办公设备领域的增长幅度将较平均水平更低。