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Microsemi推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT

时间:05-23 来源:互联网 点击:

 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

美高森美新的分立元件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些器件可以单独提供,或者与任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二极管组合封装提供,以便简化产品开发和制造。其它特性包括:

• 相比竞争产品,栅极电荷(Qg)显著减少,具有更快的开关性能;
• 硬开关运行频率大于80 KHz,实现更高效的功率转换;
• 易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性;以及
• 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作
APT40GR120B晶体管采用TO-247封装,APT40GR120S采用表面安装D3 PAK封装,APT40GR120B2D30则是T-MAX® 封装器件,包含了一个30A反并联超快恢复二极管,采用美高森美的专有"DQ"系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。

供货

美高森美新型NPT IGBT中的最初两款产品已具有以上全部待征并已量产,可通过当地分销商或美高森美销售代表获取样品。

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