TE发布业界最小尺寸/最高ESD保护的多通道20KV、0.1pF SESD器件

 TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部日前发布了一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电(SESD)保护器件，该系列器件创造了业界的三个第一：可提供市场上最低的电容(双向：典型值为0.10pF，单向：典型值为0.20pF)、最高的ESD保护(20kV空气放电和接触放电)和最小尺寸封装(多通道：最小的直通外形尺寸、单通道可做到0201尺寸、厚度仅为0.31mm)。

TE电路保护部亚洲区高级市场经理陶航说："ESD保护器件正从目前主流的聚合物ESD器件向硅ESD器件转移，这是因为虽然聚合物ESD器件能够提供保证高速信号传输完整性的非常小的电容，但它的缺点是嵌位电压比较高。随着硅ESD器件的电容能做到0.1pF，同时又能提供较低的嵌位电压、更小的外形和厚度，硅ESD器件越来越受到业界的青睐，因为它能很好地满足便携式电子设备越来越小和薄的设计空间要求。"

这些SESD器件的超低电容带来了业界最低的插入功耗，这在超高速应用中对保持信号完整性至关重要。该器件可帮助免受由静电放电、浪涌和电缆放电所引起的损坏。多通道器件也具有一个特殊设计的直通封装，可允许PCB布线的匹配阻抗，这对于保持高速信号的完整性是必不可少的。具有超低电容、小体积和高静电放电额定防护等级的SESD器件，非常适合于智能手机、高清电视等类似消费电子产品、汽车和其他市场上使用当前和未来最高速率接口的各种产品，这些接口诸如USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和Thunderbolt。

这些单/多通道SESD器件具有行业领先的20kV的接触放电和空气放电额定值，超过了行业标准IEC61000-4-2定义的8kV。如果在高电压ESD的冲击情况下，这种高电压额定值可将ESD器件出现短路导致端口永久性失效，或者因静电放电导致ESD器件开路、暴露下游芯片组从而带来损坏的风险降到最低。这个功能能够减少客户的投诉和保修费用。

"ESD保护器件在数据线上增加了电容，从而可能引起信号完整性问题，影响产品的性能和互操作性。如今的高速端口需要电容最低的ESD器件，以在提供最高等级保护的同时对信号传输的影响最小，"TE电路保护部全球市场营销和ESD业务经理Patrick Hibbs表示，"我们全新的SESD器件提供了比竞争对手的‘超低电容’解决方案低92%的电容值，也就意味着我们的SESD器件能够满足如今的‘Thunderbolt’应用。甚至即使是4K超高清（UHD）和1/4高清电视（QHD）等仍然处于兴起的市场，我们的SESD器件也能够适用于这些应用。"

随着消费类电子产品的体积不断缩小，TE电路保护部的SESD器件在持续的小型化趋势中带来了体积上的优势。已可供货的单通道器件采用0201规格XDFN小占位面积（0.6mm x 0.3mm x 0.31mm）封装和0402规格XDFN（1.0mm x 0.6mm x 0.38mm）封装。多通道SESD阵列（2、4、6通道可选）的封装高度低至0.31mm——与竞争性器件相比降低程度多达50%。SESD器件较低的总体高度使其能够安装在PCB板的边缘，或安装在电路板和连接器之间，从而提升了设计的灵活性。

此外，一个微型化的四通道SESD阵列能够使用在一个面积比四个0201器件更小的电路板区域中，从而带来电路板面积、组装成本和器件成本上的降低。作为市场上最小的4和6通道直通阵列，这些器件在与采用了微型连接器的应用一起使用时仍然易于布线，这些新型连接器包括如HDMI的D型、mini DisplayPort、Thunderbolt和USB 3.0 Micro-B等。

该系列产品的主要特性为：

SESD0201X1BN-0010-098: 单通道，双向，0.10pF，额定20kV，0201封装；
SESD0402X1BN-0010-098: 单通道，双向，0.10pF，额定20kV，0402封装；
SESD0201X1UN-0020-090: 单通道，单向，0.20pF，额定20kV，0201封装；
SESD0402X1UN-0020-090: 单通道，单向，0.20pF，额定20kV，0402封装；
SESD0402Q2UG-0020-090: 双通道，单向，0.20pF，额定20kV，0402 3L封装；
SESD0802Q4UG-0020-090: 4通道，单向，0.20pF，额定20kV，微型阵列封装；
SESD1004Q4UG-0020-090: 4通道，单向，0.20pF，额定20kV，微型阵列封装；
SESD1103Q6UG-0020-090: 6通道，单向，0.20pF，额定20kV，微型阵列封装。

在订货量为10k单位时，该系列SESD器件单价从$0.16起。该系列器件现可供货，交货周期为接单后12周。