微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 行业新闻动态 > 第3季度DRAM展望

第3季度DRAM展望

时间:07-20 来源:DIGITIMES 点击:

第2季DRAM报价下跌幅度相当大,主要是日本311地震后,下游客户担心断链危机扩大,因此提前拉货,但最后发现PC终端需求低于预期,导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况,且一直到第3季库存水位仍是偏高,因此DRAM市场持续陷入供过于求情况。

另一个让DRAM市场陷入供过于求的原因,是PC市场需求相当疲弱,整个市场需求量低于预期,连平板电脑也是雷声大雨点小,都成为DRAM市场杀手,第2季末DRAM现货价已大幅下修,7月合约价也是一路修正。

展望第3季DRAM市场,市场认为DRAM市场脱离供过于求的机率不大,一方面是PC需求不振,另一方面是DRAM大厂本身就积极驱动制程微缩,即使整个产业没有新建的晶圆厂产能,但产出仍是大增,加深DRAM市场供过于求的情况。

但以目前PC DRAM报价持续探底的情况,即使采用40纳米或30纳米制程来生产也未必能能获利,因此国际DRAM厂如三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)等,都加速在2011年底转进20纳米制程,以抵御价格如自由落体般的滑落。

过去DRAM价格只要暴跌,就会让系统厂愿意提升PC中的记忆体模组搭载率,但2011年眼见2Gb DDR3已濒临变动成本边缘,但系统厂并未如过去般提升记忆体模组搭载量,也是让DRAM市场持续陷入供过于求然无法抽身的原因。
 

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top