IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术,为一系列的低功耗应用,包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备,提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择,并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间,采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术,从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:"IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列,也可以满足我们客户的需求,进一步缩小封装尺寸,并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度,非常适合于高度数字化内容相关的应用。"
这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件,带来一个更简单的驱动解决方案。同时,新器件的厚度少于1 mm,使它们与现有的表面贴装技术兼容,并且拥有行业标准的占位空间,还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
产品规格
组件编号
配置
BV (V)
最大Vgs (V)
在10V下
典型/最大RDS(on) (mΩ)
在4.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ)
在2.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ)
IRFHS9301
单一
-30
-20
30/37
48/60
-
IRLHS2242
单一
-20
-12
-
25 / 31
43 / 53
IRLHS6242
单一
+20
+12
-
9.4 / 11.7
12.4 / 15.5
IRLHS6342
单一
+30
+12
-
12 / 16
15 / 20
IRFHS8242
单一
+25
+20
10/13
17 / 21
-
IRFHS8342
单一
+30
+20
13/16
20 / 25
-
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