中科院微电子所刘新宇：化合物半导体电子器件研究与进展

三菱电机预计2011年度在福冈制作所设置采用4寸晶圆之试产线，投入量产，产能为每月3千片。Toshiba则以2013年正式投产为目标，在川崎市的研发基地导入试产线，将运用于自家生产的铁路相关设备上。

SiC功率器件商业化应用提速，国际SiC器件厂商不断完善SiC功率器件系列，SiC功率器件走向实用化。三菱电机2010年实现首次将SiC肖特基势垒二极管配置在空调上，使SiC二极管实现了实用化，同时，三菱还积极推动二极管与晶体管都采用SiC功率器件的功率模块的"全SiC"化。从中期来看，SiC功率器件将向汽车和铁路机车领域扩展。SiC功率器件将出现在混合动力车及电动汽车等电动车辆的主马达驱动用逆变器中；而且，SiC功率器件在铁路机车应用中的时间有可能早于在汽车中的应用。

SiC器件的发展带动功率模块的快速发展，部分SiC器件厂商计划将SiC功率器件以模块形式销售，面向空调、功率调节器销售SiC模块的通用产品，面向电动车辆及铁路车辆销售定制产品。另外，电动车辆用途方面，除了SiC模块之外，还有可能提供包括马达在内的综合系统。

采用碳化硅等新型宽禁带半导体材料制成的功率器件，实现人们对"理想器件"的追求，将是下个世纪电力电子器件发展的主要趋势。

四、体会与期望

当前我国已初步解决Ku波段以下的化合物半导体器件和电路的国产化问题，但GaAs电路芯片由多家美、日、德等国的大公司（例如：Vitesse、Anadigics、Siemens、Triquint、Motorola、Alpha、HP、Oki、NTT等公司）供应。在InP、宽禁带化合物半导体（GaN、SiC）方面，技术和产业化方面已经有了重要的突破，形成以中电集团、中科院和高校为核心三支队伍。重要的是我国目前移动电话用户总数已经突破7亿，互联网用户超过3亿，数字有线电视用户将突破1亿，信息网络建设的大发展必将给光通信产品制造业带来巨大的市场需求，迫切希望有价格便宜的国产相关元器件，以降低成本、增强竞争力。我国各类与移动、光纤和高速电路有关的芯片需求约达到3亿块以上，估计每年产值可达数亿元至几十亿元。完全有理由相信，我国的化合物半导体电子器件定会高速发展。