松下将启动专用于氮化镓功率晶体管X-GaN的高速栅极驱动器批量生产

有助于电源转换装置节省空间和能源

松下公司(Panasonic Corporation)近日宣布，该公司将于2016年11月启动专为驱动其氮化镓(GaN)功率晶体管X-GaN而优化的高速栅极驱动器(AN34092B)批量生产。该公司还将启动两种X-GaN型号（PGA26E07BA和PGA26E19BA）的批量生产，并提供与高速栅极驱动器整合的解决方案。

氮化镓是下一代半导体化合物之一，可在应用于各种电源装置的晶体管时节省空间和能源。栅极驱动器需驱动晶体管；但是，适用于传统硅(Si)晶体管的通用栅极驱动器无法挖掘氮化镓晶体管的潜力，因为氮化镓晶体管的栅极结构不同于硅晶体管。

新推出的高速栅极晶体管(AN34092B)有助于我们的X-GaN轻松且安全地获得高速切换性能。它能够以高达4MHz的高频率驱动晶体管，并整合有源密勒箝位(active miller clamp)功能^[1]，可在高速切换过程中防止故障。X-GaN将通过我们的独特技术达到600V故障增强型^[2]，并具有高速切换和低导通电阻^[3]功能。X-GaN与专用高速栅极驱动器的结合将有助于各种工业级和消费级电源转换装置大幅节省空间和能源。

氮化镓和专用高速栅极驱动器适用于各种应用，例如100 W至5 kW的电源装置、变频器、数据中心、移动基站、消费电子、影音设备、工业设备和医疗器械。

[关于高速栅极驱动器(AN34092B)]

产品阵容
AN34092B
功能
• 以高达4MHz的高频率驱动晶体管，并节省空间
• 可实现高转换速率，有助于节能
• 整合有源密勒箝位功能，可在高速切换过程中防止故障。

[关于X-GaN]

产品阵容
PGA26E07BA (70 mΩ)和PGA26E19BA (190 mΩ)
功能
X-GaN通过我们的独特技术和无电流崩塌达到600 V故障增强型[4]。其高速运行能力有助于提高功率转换效率并进一步缩减尺寸。

[注释]

[1] 有源密勒箝位
有源密勒箝位是一种直接将栅电压接地的功能，从而降低噪声环境下的栅极电压峰值，噪声环境可能会在晶体管关闭时造成其发生故障。
[2] 增强型
增强型是半导体元器件的一种特征，当电压施加于栅极时，半导体元器件通常会被关闭。这也通常称为常闭。
[3] 低导通电阻
导通电阻是指晶体管开通电源时晶体管的漏极与源极之间的电阻。该值越低，晶体管的损耗越小。
[4] 电流崩塌
电流崩塌是一种现象，即漏区的电子被漏极与源极之间施加的高电压能量所俘获。由于晶体管接通电源时俘获电子可防止电流从漏极流向源极，因此导通电阻增加。

关于松下

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