不断发展的ROHM最新功率元器件

材质功率元器件产品的市场规模依然很大。ROHM也在致力于使用硅材质半导体的功率元器件开发。不仅不断完善IGBT和MOSFET等分立半导体、IC的产品群，还在不断扩充功率元件和控制IC相结合的复合型产品阵容等，积极发挥综合半导体元器件制造商的综合实力优势，使产品阵容不断壮大。下面简单介绍一下相关产品。

（1）IGBT智能功率模块（IGBT-IPM）

为降低功耗，众多电机应用中均实现了设备的变频化。这些变频设备中广为采用的产品是将IGBT功率元件、控制它们的IC以及外围电路1体化封装的功率模块产品（IPM：智能功率模块）。ROHM的IGBT-IPM产品搭载自产的硅材质IGBT元器件，并已投入量产（图8）。

图8.ROHM的IGBT-IPM（MOS-IPM）结构

（2）MOS智能功率模块（MOS-IPM）

近年来，在白色家电领域，节能趋势尤为显著。产品倾向于采用更接近实际使用情况的能效标识APF（Annual Performance Factor），不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能，要求在负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。

ROHM 不仅实现了IGBT-IPM的量产，还开发出搭载自产的低导通电阻"PrestoMOS"、并融入独有的IC控制技术的MOS-IPM产品，已于2015年8月投入量产。

■ 采用可支持大电流的PrestoMOS

一般MOSFET具有在高速开关条件下和低电流范围内的导通损耗较低的优势，具有降低设备正常运转时的功耗的效果。ROHM通过采用以往的MOSFET很难实现的可支持更大电流的自产PrestoMOS，大大降低导通损耗，实现了IPM的产品化。

■ 采用ROHM独有的电路技术的栅极驱动器IC

ROHM通过采用独有的栅极驱动电路，进一步实现了IPM产品的高效化。例如，通过导入可防止高电压条件下高速开关动作容易产生的MOSFET误动作的电路，实现高速开关动作，以降低开关损耗。而且，还考虑到开关时产生的噪音，优化了开关损耗和噪音的平衡关系，从而实现了可最大限度充分发挥PrestoMOS性能的栅极驱动。

由于具备这些特点，在低电流工作条件下，ROHM生产的MOS-IPM产品与IGBT-IPM产品相比，损耗大幅降低。通过业界顶级的低功耗，为整个应用的进一步节能做出贡献（图9）。

图9.普通IGBT-IPM与ROHM的MOS-IPM的损耗比较

结语

为了进一步实现节能化，ROHM在已经实际应用的SiC功率元器件领域，进一步推进技术革新。另外，在硅材质半导体领域，也将不断完善产品阵容，同时，积极拓展包括控制IC在内的复合型产品群。

今后，ROHM将继续致力于推进在节能方面为社会贡献力量的元器件开发。