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微波MEMS滤波器的研究进展

时间:02-24 来源:mwrf 点击:

MEMS器件的发展态势的评估图,可以看出,各类MEMS器件正逐步走向产业化。随着MEMS开关器件的发展成熟,MEMS开关可调滤波器将在微波通信领域发挥巨大的作用。

1.2、MEMS可变电容可调滤波器

采用MEMS开关的可调滤波器所能调节的频率范围是离散的值,这限制了MEMS开关可调滤波器的使用范围。而采用可变电容的MEMS可调滤波器可以实现频率的连续调节。

MEMS可变电容可调滤波器的研究也逐渐成为MEMS滤波器的一个热点。Hong.Teuk Kim等人采用悬臂式MEMS可变电容实现了两个Ka波段的可调带通滤波器,可调范围分别是4.2%(26.6GHz)和2.5%(32GHz),通带插人损耗分别为4.9dB和3.8dB。A1-Ahmad.M等人提出的耦合微带上的LTCC(低温烧结陶瓷)带通滤波器,使用压电材料设计的MEMS可变电容,频率调节范围从1.1GHz-2.6GHz,插入损耗在2dB-4dB之间。

目前,国际上报道的MEMS可变电容可调滤波器的损耗一般比MEMS开关可调滤波器大,并且MEMS可变电容发展目前还不成熟(如图5所示)。因此,要得到性能优越的连续可调滤波器,还得期待MEMS技术的进一步发展。

2、非调节MEMS滤波器

非调节MEMS滤波器按工作原理可以划分为两类:(1)MEMS谐振器;(2)基于MEMS工艺的RLC调谐滤波器。MEMS谐振器有机械式谐振器和介质谐振器两大类。用MEMS机械式谐振器制作的滤波器虽然性能优异,但是其应用频率范围在100MHz范围以内,在此不做后续讨论。MEMS介质谐振器主要有体声波器件(BAW)和SMR型器件,由于SMR型器件还存在很大的技术和工艺方面问题,这里不做详细讨论。下面主要讨论MEMS介质谐振器中相对比较成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)。

2.1、薄膜体声波谐振器(FBAR)

薄膜体声波谐振器(FBAR)的结构如图6所示,它由3个基本单元构成:产生谐振的压电薄膜、施加电场的电极以及建立驻波的反射面。输入的电信号由压电薄膜的逆压电效应转化为声信号;当声波在上下界面内谐振时,阻抗表现为最大值(并联谐振)或最小值(串联谐振);最后由压电薄膜的压电效应将声信号转化为电信号输出。谐振频率上的声波损耗最小,只能使特定频率的波通过,通过级联可以实现带通滤波器。

图6、薄膜体声波谐振器(FBAR)结构示意图

FBAR滤波器的Q值数量级可以达到一千以上,它能够处理2W 以上的输出功率,具有很强的功率处理能力;同时,FBAR可以实现单片集成,这是一些常用的射频滤波器如陶瓷滤波器、SAW(表面声波滤波器)所不具有的优势。表1列出了几种滤波器的比较:

表1、几种滤波器的比较

FBAR是目前发展最成熟并且已经产业化的MEMS器件(如图5所示),已被应用于CDMA(码分多址)等通信系统中。到目前为止,已有很多公司(如EPCOS、Fujistu)推出了商用的体声波滤波器。国内FBAR技术目前还处于理论研究和实验阶段。

目前的体声波滤波器仍存在一些问题,主要体现在:(1)工作频率范围集中在X波段以下,在毫米波段仍然没有得到很大的发展;(2)压电薄膜材料(PZT)的制备及其性能仍不理想。运用三维MEMS工艺,构造高机电耦合系数(Kt)、高Q值的压电薄膜是目前体声波滤波器发展的重点。

2.2、基于MEMS工艺的RLC调谐滤波器

由于传统的RLC调谐滤波器的设计方法非常成熟,这可减小MEMS滤波器的设计周期和设计难度。将MEMS的加工工艺应用于设计好的传统RLC调谐滤波器,不但可以克服传统MMIC滤波器损耗高、Q值低等特点,还可以有效减小芯片面积。

RLC调谐滤波器可以设计为两种:(1)集总元件滤波器;(2)分布元件滤波器。由于它们自身实现方式的不一致,相应采取的MEMS加工工艺也不一致。

2.2.1、MEMS集总元件滤波器

集成电感电容的低Q值和低自谐振频率一直是限制集总滤波器的最主要因素,传统CMOS工艺的电感Q值都在10以下,自谐振频率也很低。MEMS工艺采用三维的加工工艺,可以制作高Q的电感电容。

由上海交通大学微纳米科学技术研究院制作的双层悬空结构电感,Q值可以达到20;国外报道的MEMS电感Q值在10~3O之间。图7所示为采用倒装法制作的悬空电感结构图,ZengJun等人使用支撑柱使电感金属线圈悬空,形成悬空结构,这提高了电感Q值。采用高Q的元件设计滤波器,不但其性能优越,而且滤波器的电路设计也非常简单。

图7、采用MEMS工艺的悬空电感结构

(a)螺旋结构(b)弯折线结构

2.2.2、分布元件滤波器

分布元件滤波器采用各种微波传输线来设计。在微波单片集成电路中通常使用微带线和共面波导传输线(CPW)。传输线的损耗主要来自于导体损耗和介质损耗,通过MEMS工艺,在传输线导体下淀积绝缘薄膜,或者刻蚀槽形成悬空结构(如图8所

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