汉天下电子单芯片射频前端项目荣获北京市科学技术奖

由北京中科汉天下电子技术有限公司独自承担的"基于标准CMOS工艺的单芯片射频前端的开发与应用"项目，根据《北京市科学技术奖励办法》的规定，经市科学技术奖励评审委员会评审，市政府批准，被授予北京市科学技术奖。

北京市科学技术奖共分为计、电、材、环、能、制、城、交、农、医、中、药、基等十三个大类，共有220家公司获得该奖项，但在集成电路技术领域仅仅只有4家，而汉天下电子作为一个仅仅成立两年多的公司就获得该殊荣，它彰显了汉天下电子在射频集成电路领域的创新性和研发实力。

该项目属于集成电路技术领域，该项目的成果是研发了具有自主产权的CMOS射频功率放大器产品。在技术上解决了天线失配导致的烧片问题；解决了CMOS工艺的耐压问题；解决了CMOS工艺设计的PA的效率问题；解决了新的封装工艺问题；解决了低功率下效率低的问题。该项目的成果打破国外垄断，实现CMOS PA技术的国产化，经济和社会效益显著。

采用该项目成果的芯片产品，目前已占据全球GSM功率放大器50%以上市场份额，出货量达到3000万颗/月，该芯片的累计出货量已达到4亿颗。