锑化铟薄膜磁阻式振动传感器

六、结论
　　InSb －In薄膜磁阻式振动传感器是一种新型的、实用的传感器，其结构简单、体积小、灵敏度高。由于在传感器内没有机械的连接，所以传感器的使用寿命很长。这种 InSb－In薄膜磁阻式振动传感器采用7~12V直流电源供电，测量振动频率范围为7~10kHz，在没有振动时输出为近似Vcc/2的直流电压，有振动时，输出是叠加在Vcc/2上、随振动大小而变化的电压信号。
　
参考文献：
[1] 曲喜新.电子元件材料手册[M]. 北京：电子工业出版社， 1989.422-430.
[2] 黄钊洪.InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性.传感器技术[J]，2001,20(8):7-9
[3] 森村正直等. 传感器技术[M]. 科学出版社, 1986：127～130
[4] 金篆芷等. 现代传感技术[M]. 电子工业出版社, 1995：26～29
[5] 黄继昌等. 传感器工作原理及其应用实例[M]. 人民邮电出版社, 1998：135～141，238～241

作者：郑鑫 黄钊洪

Top