分析：中国追求的半导体自制率核心技术是拦路虎

据台湾媒体报道，中国积极扶植半导体产业，喊出2025年自制率要达70%。 IC Insights分析认为，缺乏核心技术下，要实现2025年的目标并不太实际，大基金奥援下资金面没有问题，但核心技术会是障碍，且内存专利上项目众多，未来恐有专利战的疑虑。

中国在2015年释出《国家集成电路产业发展推进纲要》、《中国制造2025》，明确订定2020年中国IC内需市场自制率要达40%，2025年将进一步提高至70%的政策目标外。

IC Insights举例，早在1980年代的美国可见一斑，当初美国政府试图推行一项政策，要求供应军用芯片的产业链企业能实现全部美国化，即是从晶圆与封装材料、半导体设备到芯片制造、封装测试更阶段，至少有一家美国公司。 在30年前，芯片制造产业远不如现在复杂，但那时候半导体产业链就已衍伸出几千个环节，因此美国政府最终不得不废止了这项政策。 对半导体产业链来说，市占率达不到100%，谈自给率就没有意义。

IC Insights指出，《中国制造2025》的目标仰赖2基本个要素：资金和技术，要实现2025年自制率达70%的目标，两方面都无法偏废。 在大基金的支持下，资金不会成为中国半导体产业实现2025年目标的障碍。

但IC Insights认为，中国不具备填充新建产能所需的集成电路技术是最大的障碍。 从2014年开始，中国试图通过收购国外半导体公司的方式来得到技术，包括：芯成科技（ISSI）与豪威科技（OmniVision）。 但现在绝大多数外国政府对中国在集成电路产业上的野心十分警惕，中国资本收购国外IC公司的难度已经非常高。 IC Insights甚至认为，中国通过收购国外IC公司获取技术的机会高峰已降缓。

近期不乏报导指出，新建晶圆制造产线的中国公司准备大量招聘三星、海力士、英特尔中国工厂的IC工程师。 IC Insights认为，以2005年台积电与中芯国际的专利诉讼案来看采用这种方法来发展IC设计有其风险

IC Insights进一步分析，一旦中国内存量产，可预期三星、海力士、美光、英特尔、东芝可能会在专利上面做文章。 由于上述几大内存厂商在DRAM与NAND闪存制造生产历史已有数10年，内存技术专利申请众多，产品线拓展很宽，没有新厂商能够在不侵犯现有专利的情况下发展处新型的DRAM与NAND技术。

2016年全球IC制造产业规模为1120亿美元，其中中国IC制造（包含国外公司在中国的工厂）的市占率为11.6%，比5年前的2011年市占率仅提升不到两个百分点。 虽然从2016年到2021年，中国IC制造年复合增长率被预测为18%，但2016年中国IC制造规模仅130亿美元，基数非常低。