GaN器件大热，TI公司投入生产

美国德州仪器（Texas Instruments，TI）公司Silicon Valley Analog（SVA）业务部高级副总裁David Heacock日前借访日之机，在东京举办了新闻发布会，在发布会上表达了该公司对于最近开始大力投入的GaN功率器件的信心。

TI重点宣传的GaN功率器件产品的特点是，在1个封装中不仅有GaN功率晶体管（FET），还内置栅极驱动器。产品主要有两款，一个是配备了耐压80V的GaN FET的"LMG5200"（参阅本站报道）。2015年开始供应样品，另一个是配备了耐压为600V的GaN FET的"LMG3410"。均已从2016年开始供应样品。

关于设想的可以采用GaN功率器件的用途，Heacock介绍说，在耐压100V以下的用途方面，"顾客对于雷达等追求高速开关的应用给予了强烈关注"。在耐压为600V以上的用途中，设想采用GaN功率器件的是"输出功率为1kW～3kW的电源等以高开关频率驱动，通过缩小被动元件来追求小型化的产品"。

在现有Si功率器件方面，该公司产品的特点是拥有广泛的产品线。宣传的重点放在了DC-DC转换器模块产品。输入电压最低支持2.2V，最高支持60V。输出电流方面，小到0.4A以下，大到50A，都有相应的产品。

在发布会上，除上述内容外，Heacock还宣布TI将继续大力发展模拟领域。2015年TI的销售额约为130亿美元，其中模拟领域的销售额为83亿美元，占比达6成以上。该公司视模拟为成长的源泉，将大力投入到该领域的研发中。将把9成的研发费用投入到模拟领域。