GaN技术的可靠性报告

在器件通过数百万个器件-小时严谨的应力测试后，宜普电源转换公司（EPC）发布可靠性测试报告以记录氮化镓（GaN）技术的可靠性

宜普电源转换公司（EPC）发布第八阶段可靠性测试报告。该报告表明，在累计超过800万个器件-小时的应力测试后，没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试，并且分析器件失效的物理原因。

宜普电源转换公司的第八阶段可靠性测试报告证明氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）及集成电路在被确认为合格产品前，经受各种非常严谨并符合JEDEC认证标准的应力测试。

本报告提供特定产品在经受数百万个器件-小时的应力测试后所得出的详细结果。除了利用应力测试来认证产品的可靠性外，我们对产品的其它方面也进行了尽职调查，包括器件的现场可靠性、在器件的工作寿命内的失效情况及整块电路板的可靠性。第八阶段可靠性测试报告尤其集中探讨以下三个部分的测试 ：

I：器件的现场可靠性

·   探讨器件的现场失效情况
·   器件在组装时发生失效的情况
·   器件在应用中发生失效的情况
·   芯片本质的认证

II：器件的早期寿命失效情况与器件的应力疲劳特性

·   器件的早期寿命失效率（ELFR）
·   电子迁移效应（Electromigration）

III：整块电路板的可靠性及热机械性能

·   间歇工作寿命（IOL）测试
·   温度循环（TC）测试
·   整块电路板的可靠性测试

在客户的应用中，要取得EPC器件可靠性的认证，客户可以参考我们的第七阶段可靠性测试报告（该报告表明，eGaN FET及集成电路具备卓越的现场可靠性—这些器件在经受超过170亿器件-小时测试后，得出非常低的失效率（低于1 FIT，代表器件经受10亿小时的测试后的失效器件），以及参考第八阶段可靠性测试报告。这些累计的器件可靠性资料展示出eGaN FET及集成电路是非常可靠的器件，以及在目前的终端产品的合理寿命内，eGaN FET及集成电路的失效概率是非常低的。

宜普公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow博士说："要展示全新技术的可靠性是一个重大的挑战。我们非常重视所有产品的可靠性。第八阶段可靠性测试报告所阐述的各项测试及报告的结果表明，由于宜普电源转换公司的氮化镓产品具备必备的高可靠性，因此成为替代硅基器件的首选半导体器件。"

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、光学遥感技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。