2015国际RF-SOI研讨会在上海成功召开

物联网和移动互联网的发展日新月异，不断改变我们的生活方式。9月16日，由SOI国际产业联盟、上海微技术工业研究院、中国科学院上海微系统与信 息技术研究所、芯原股份有限公司共同主办的"2015国际RF-SOI研讨会"在上海成功召开。研讨会以"互联世界"为主题，聚集了当今射频产业的核心参与者，共同探讨人与世界互联互通带来的产业机遇，是行业内最高规格的射频类SOI议题的会议。

目前正值上海大力推进建设具有全球影响力的科 技创新中心、推动产业发展的良好时机，射频SOI技术和产业发展需要企业专家的支持。上海市科委副主任干频在研讨会的开幕致辞中表示，近年来射频技术持续 进步，产业规模大幅提升，新傲科技、华虹宏力、锐迪科等骨干企业分别在衬底材料、射频SOI工艺、射频开关等芯片应用领域形成了较大的优势。上海微技术研究院也正在与Soitec公司合作开展面向下一代无线通信的硅基射频前端技术研究。上海已将集成电路产业作为重点培育发展，形成较完整的射频SOI产业链。

本次研讨会聚集了Global Foundries、Leti-CEA、Tower Jazz、Freescale、ARM、Synapse、IBS、ST及中芯国际等多家RF-SOI平台的核心参与者。上午的研讨会由上海微技术工业研究 院总裁杨潇主持。IBS总裁Handel Jones首先从市场层面进行了分析，他在报告中指出，全球RF市场正在高速增长，目前中国市场仍然被国外大企业所主导，建议增加SOI领域的投资，并建立更广泛全面的合作关系。上海微技术工业研究院副总裁卢煜旻博士随后详细阐述了手机前端2G到4G的演进以及5G的新应用。Leti-CEA总裁 Marie-Noelle SemeriaSOI在超越摩尔领域的应用前景，他乐观的认为，FD-SOI和RF-SOI工艺催生了大量的新应用，先进的工艺已逐步覆盖全产业链，中国在全球产业生态中已然扮演着关键角色。

TowerJazz设备技术总监Paul Hurwitz从技术层面分析，RF-SOI的有着非常好的射频性能，可以在射频前端平台中集成射频开关、数字、低噪放和功放，这对今后集成射频开关和高 速SiGe器件非常有利。Qorvo技术总监Julio Costa紧跟着4G的话题，RFSOI-on-HRSI工艺已成功使用在主流4G手机平台，与其他工艺相比可以实现低成本、小尺寸和工艺平衡。基于 RF-SOI的多掷开关和电容可调产品已经在下一代无线通信应用中快速部署。GlobalFoundries射频产品业务总监Peter Rabbeni分析指出，随着射频系统面临更加复杂和更高性能的挑战，RF-SOI工艺证明其可以成为射频前端模块整合的平台。

下午的研讨会由中科院上海微系统所SOI技术研发中心主任费璐主持。STMicroelectronics副总裁Flavio Benetti从移动设备切入，他认为随着移动设备的发展，前端模块的重要性与日俱增，RF-SOI是前端模块发展的成功工艺，近年来的需求已有爆发式的 增长趋势。Skyworks的技术副总裁Steve Kovacic的演讲得到了极大的关注，他认为SiGe BICMOS和RF-SOI已经成为呼声最高的两种工艺，更加多样化的频谱需求将给RF-SOI带来更多的可能性。日本千叶大学的教授Ken-ya Hashimoto从现代移动通信角度分析表明，RF SAW/BAW双工器已不可或缺。MOSIS公司袁泉表示和Leti-CEA/CMP的Ali Erdengiz同时表示，RF-SOI是一个快速变化且需求巨大的市场，竞争压力不断加大，完整系统解决方案的需求不断提高，成熟的技术服务不可或缺。

在 随后的"SOI和工业前瞻"主题演讲中，来自Shin-Etsu Handotai、Simgui、Soitec、SunEdision的行业各抒己见，新的思路和想法不断涌现。RF-SOI 200mm和300mm尺寸工艺拥有非常巨大的前景，在此前提下，SOI晶圆将成为新开发的IT技术所使用的引入注目的关键材料。IC产业的快速增长对硅片的需要也将不断增加，Soitec和新傲公司达成的战略合作将是建立中国供应链的关键。

最后的圆桌讨论环节由EETimes 首席国际记者Junko Yoshida担任主持，各位嘉宾就"SOI衬底和应用"展开了热烈讨论。包括射频天线和开关、5G对RF-SOI的推动作用明显，物联网领域的对SOI 的需求增强，5G等新通信协议的建立将影响未来RF-SOI的技术发展。大家一致表示，射频材料和工艺是电子产品互联的关键，中国市场潜力巨大，产学界的相互合作不断创新，能积极推动SOI技术在在射频、低功耗、高速处理等领域取得越来越广泛的应用。