三星电子为其28纳米工艺技术新增射频功能

尖端半导体解决方案的全球领先企业三星电子日前宣布，为其28纳米工艺技术新增射频（RF）功能。随着物联网快速成为现实，三星晶圆代工事业部开始助力芯片设计人员在设计中集成高级RF功能，使互联家用电器、车载信息娱乐系统和供暖/制冷系统等连接应用成为可能。

"现在市场上只有少数晶圆代工厂能够提供先进制程工艺，而能在芯片设计中集成RF功能的选择则更为有限。"三星晶圆代工事业部市场营销副总裁韩承勋指出，"随着我们进入物联网时代，智能连接设备也将更加普及，更小和节能型的RF设计对SoC解决方案来说至关重要。为了顺应这一潮流，三星晶圆代工事业部正同其生态系统合作伙伴和客户协力，一道推出最先进的低成本和最低功耗的RF技术。"

三星晶圆代工事业部现已向一些客户提供了28RF工艺设计包（PDK）和验证方法，并已通过实际设计仿真验证和硅验证。三星的28RF工艺基于已通过大批量量产验证的28LPPHKMG工艺，且芯片结果显示了280GHz的增益截止频率（Ft）和400GHz的功率截止频率（Fmax）。

在与EDA伙伴的合作中，28RF工艺设计包含设计手册、精准SPICE模型、DRC/LVS、PEX和ESDdecks以及RF专用模块验证和提取规则等。在2015年初，三星就将开始启动28RF工艺的量产。

目前，三星正在为其代工业务客户量产使用28LPS（pSiON）、28LPP（HKMG）和28LPH（HKMG）等制程工艺的28纳米产品。多个客户的产品已经通过硅验证，更多产品也在三星分别位于韩国和美国的S1和S2晶圆厂中进行生产。