TD-LTE射频芯片前景可期
时间:01-03
来源:互联网
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国民技术近日发布年报表示,受U盾单价及毛利润下滑影响,尽管销售数量同比上升,但收入略有下滑,公司2012年报表稍显黯淡,不过报告称,公司支持多模多频段的TD-LTE终端射频芯片已经开始量产,并对中移动小批量出货。分析人士认为,随着4G建设的推进,公司有望获得更多订单。
据了解,公司目前还承担2013年国家重大专项"面向TD-CDMA/TD-LTE/TD-LTE-Advanced的多模终端射频功率放大器(PA)芯片研发",正在研发高效率的WCDMA PA系列。
国民技术是工信部TD-LTE 工作组成员、中国移动4G 合作伙伴,并通过了中国移动以及电信研究院组织的TD-LTE 研发技术试验和规模技术试验。公司TD-LTE 射频芯片具备技术领先等多项优势,能够适应TD-LTE 多频段的特点,尤其是在政务专网市场具有优势。借助射频芯片的优势,公司也开发了相关的终端设备产品。在中国移动2013 年第二季度TD-LTE 终端集采中,公司中标MIFI 模组且排名居前。但由于中国移动采购总量有限,该产品对公司2012年业绩贡献不大。
国民技术表示,未来,公司将充分把握4G 发展的机遇,继续以开放的态度与LTE 产业链各厂家紧密配合,开发支持多模多频段、低功耗、高速率的LTE 终端产品。
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