Microsemi推出S波段RF功率晶体管

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

　　在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能，通过单一器件在这个频段上提供最大功率，主要特性包括：

　　标准脉冲间歇格式： 100µs, 10 % DF

　　出色的输出功率： 500W

　　高功率增益： >11.5 dB min

　　漏极偏压−Vdd： +65V

　　低热阻： 0.2℃/W

　　使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括：

　　具有简化阻抗匹配的单端设计，替代需要额外合成的较低功率器件

　　最高峰值功率和功率增益，可减少系统功率级数与末级合成

　　单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率，通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

　　65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

　　极其稳健的性能提升了系统良率，而且

　　放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%