蜂窝趋势引领半导体工艺技术发展方向

成了定向耦合器，无需再使用任何外部耦合器。台湾HTC公司推出的包括EVO、Desire HD和Z在内的系列智能手机中就已经采用了这些功放。

　　显然，工艺技术为了满足无线和其它应用需求而推进发展的速度是相当令人惊叹的。虽然集成技术在更多的时候是首选，但分立技术在智能手机之外的应用中仍有庞大需求。正如RFMD公司的Johnson和Gillenwater总结的那样，"目前无线应用使用许多种工艺技术，如GaAs HBT、pHEMT、BiFET、SiGe、SOI和CMOS等。在性能方面要求最严格的应用将继续使用化合物半导体。在性能要求不是太高的场合，可以使用硅（Si）。随着GaAs解决方案的成本持续走低（裸片缩小，更大批量），没有更好的理由要去改变技术。

　　"今后几年值得期待的、令人感兴趣的新技术无疑是BiFET和SOI。"他们继续指出。"SOI对无线应用来说是一种相对新的Si技术，具有一些令人感兴趣的射频特性，因此是低功耗射频电路和开关的理想解决方案。GaAs BiFET将HBT和pHEMT整合为一种技术，可实现更高集成度而不牺牲性能，同时还能降低成本。LNA、中等功率射频开关、HBT功放和低密度模块控制电路可以集成在单块GaAs基板上。"当然，有关哪种工艺技术能够最好地服务哪种应用的争论仍将继续下去。