大容量闪存器件K9KAG08UOM与DSP的接口设计
时间:01-04
来源:EDN
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4 软件设计
NAND Flash的基本操作主要包括:读数据,编程(写)数据,擦除、读器件ID号等。NAND Flash的软件设计主要关注以下几个方面:
(1)读、写操作以页为单位;
(2)擦除操作以块为单位;
(3)对NAND Flash写数据时,位数据只能由1变为0,因此对Flash写操作前必须把写单元所在块擦除;
(4)NAND Flash同其他固体存储器一样会产生坏块,如果将数据存储在坏块区域将导致无法正常恢复。坏块区域一般不超过器件总容量的3‰,如果系统的工作状态允许存储的数据可以出现少量错误,比如图像记录功能,软件设计时可不用标记为坏区;如果系统的工作状态不允许存储的数据出错,则需根据器件出厂时自带的坏块信息表标记坏块区域,以保证数据不被写到坏块区域。
(5)在对NAND Flash进行擦除、编程或者读取操作流程时,不允许有中断信号打断CPU的工作,否则会读写错误。在软件设计时,如果对NAND Flash进行存取操作,需先屏蔽中断,读写操作完成后再把中断重新打开。
NAND Flash最基本的块擦除、页编程时序流程如图4和图5所示。
5 结束语
由于NAND Flash具有非易失性、大容量、低成本、接口简单等优点。在组合导航数据存储设备,激光惯导单元及红外导引头的图像采集等智能仪器中得到广泛应用。详细介绍了大容量闪存K9KAG08UOM与TMS320C6713B的硬件接口电路和软件程序设计,所采用的接口技术灵活、简单、可靠,在激光惯导单元进行的湖试和海试试验中成功地实现了数据的存储。该接口设计方法可推广应用于大容量闪存器件与单片机、ARM及其他型号的DSP设计中。
编辑:博子
NAND Flash的基本操作主要包括:读数据,编程(写)数据,擦除、读器件ID号等。NAND Flash的软件设计主要关注以下几个方面:
(1)读、写操作以页为单位;
(2)擦除操作以块为单位;
(3)对NAND Flash写数据时,位数据只能由1变为0,因此对Flash写操作前必须把写单元所在块擦除;
(4)NAND Flash同其他固体存储器一样会产生坏块,如果将数据存储在坏块区域将导致无法正常恢复。坏块区域一般不超过器件总容量的3‰,如果系统的工作状态允许存储的数据可以出现少量错误,比如图像记录功能,软件设计时可不用标记为坏区;如果系统的工作状态不允许存储的数据出错,则需根据器件出厂时自带的坏块信息表标记坏块区域,以保证数据不被写到坏块区域。
(5)在对NAND Flash进行擦除、编程或者读取操作流程时,不允许有中断信号打断CPU的工作,否则会读写错误。在软件设计时,如果对NAND Flash进行存取操作,需先屏蔽中断,读写操作完成后再把中断重新打开。
NAND Flash最基本的块擦除、页编程时序流程如图4和图5所示。
5 结束语
由于NAND Flash具有非易失性、大容量、低成本、接口简单等优点。在组合导航数据存储设备,激光惯导单元及红外导引头的图像采集等智能仪器中得到广泛应用。详细介绍了大容量闪存K9KAG08UOM与TMS320C6713B的硬件接口电路和软件程序设计,所采用的接口技术灵活、简单、可靠,在激光惯导单元进行的湖试和海试试验中成功地实现了数据的存储。该接口设计方法可推广应用于大容量闪存器件与单片机、ARM及其他型号的DSP设计中。
编辑:博子
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